恭喜三星电子株式会社李润姓获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利铁电薄膜结构以及包括该铁电薄膜结构的电子器件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113345795B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011319958.9,技术领域涉及:H01L21/02;该发明授权铁电薄膜结构以及包括该铁电薄膜结构的电子器件是由李润姓;许镇盛;金尚昱;文泰欢;赵常玹设计研发完成,并于2020-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本铁电薄膜结构以及包括该铁电薄膜结构的电子器件在说明书摘要公布了:提供一种铁电薄膜结构以及包括该铁电薄膜结构的电子器件,该铁电薄膜结构包括半导体基板、在半导体基板上的第一铁电层和在半导体基板上的第二铁电层。第二铁电层与第一铁电层间隔开并具有与第一铁电层不同的介电常数。第一铁电层和第二铁电层可以在其中包含的掺杂剂的量方面彼此不同,并可以在应用于晶体管时表现出不同的阈值电压。
本发明授权铁电薄膜结构以及包括该铁电薄膜结构的电子器件在权利要求书中公布了:1.一种铁电薄膜结构,包括: 半导体基板; 在所述半导体基板上的第一铁电层;和 在所述半导体基板上的第二铁电层,所述第二铁电层与所述第一铁电层间隔开,所述第二铁电层的介电常数不同于所述第一铁电层的介电常数,其中 所述第一铁电层包括HfxZr1-xO,其中0x1,以及 所述第二铁电层包括掺有掺杂剂的HfxZr1-xO,其中0<x<1。
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