恭喜加利福尼亚大学董事会C.J.佐尔纳获国家专利权
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龙图腾网恭喜加利福尼亚大学董事会申请的专利用于减少蒸发和降解的处理半导体膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113330536B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080010215.5，技术领域涉及：H01L21/027；该发明授权用于减少蒸发和降解的处理半导体膜的方法是由C.J.佐尔纳;M.伊扎;J.S.斯佩克;S.纳卡穆拉;S.P.登巴尔斯设计研发完成，并于2020-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于减少蒸发和降解的处理半导体膜的方法在说明书摘要公布了：一种在处理期间保护由一层或多层构成的半导体膜的方法。该方法包括将半导体膜的表面与保护性覆盖件诸如分离的基板件的表面直接接触，该保护性覆盖件与半导体膜的表面形成气密或气密密封，以便在半导体膜中减少材料降解和蒸发。该方法包括在例如热退火和或控制环境的一些条件下处理半导体膜，该条件可能在没有保护性覆盖件的情况下导致半导体膜的蒸发或降解。
本发明授权用于减少蒸发和降解的处理半导体膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种方法，包括： a在碳化硅SiC基板上或上方生长半导体膜，所述半导体膜包含含铝氮化物基层； b在所述半导体膜的表面上放置保护性覆盖件，所述保护性覆盖件包含SiC基板的分离片，其中所述保护性覆盖件的表面与所述半导体膜的表面形成密封，以防止所述半导体膜在处理期间蒸发或降解；和 c在一个或多个条件下处理所述SiC基板、所述半导体膜和所述保护性覆盖件，所述一个或多个条件会使得所述半导体膜在没有所述保护性覆盖件的情况下蒸发或降解； d其中，在所述一个或多个条件下处理所述半导体膜以改变所述半导体膜的材料或特性；并且 e其中，在处理所述半导体膜的条件下所述保护性覆盖件是化学惰性材料。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人加利福尼亚大学董事会，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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