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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115223923B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110412149.0，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构的形成方法是由苏柏青;何超;苏柏松设计研发完成，并于2021-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：在图形材料层上形成核心层，在核心层侧壁形成第一侧墙，之后去除核心层，在第一侧墙的侧壁形成第二侧墙，之后去除第一侧墙，以第二侧墙为掩膜图形化图形材料层，第一区域的图形材料层形成第一目标图形，第二区域的图形材料层形成第二目标图形，其中，侧墙调节处理用于调节第二目标图形的线宽和数量，包括：在形成第一侧墙的步骤中，在第二区域中，使位于核心层的相对侧壁上的第一侧墙相接触，在形成第二侧墙的步骤中，在第二区域中，使位于部分第一侧墙的相对侧壁上的第二侧墙相接触，去除第一侧墙后，图形化图形材料层之前，去除位于第一区域中的第二侧墙。提高了第二目标图形的节距和数量的设计自由度。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底上形成有图形材料层，所述基底包括交替排列的第一区域和第二区域，所述基底还包括位于相邻所述第一区域和第二区域之间的间隔区，所述第一区域用于形成第一目标图形，所述第二区域用于形成多个第二目标图形，沿所述第一区域和第二区域的排列方向，所述第一目标图形的线宽大于所述第二目标图形的线宽； 在所述图形材料层上形成分立且平行排列的核心层； 在所述核心层的侧壁形成第一侧墙； 形成所述第一侧墙之后，去除所述核心层； 去除所述核心层之后，在所述第一侧墙的侧壁形成第二侧墙； 形成所述第二侧墙之后，去除所述第一侧墙； 去除所述第一侧墙之后，以所述第二侧墙为掩膜图形化所述图形材料层，在所述第一区域的图形材料层中形成第一目标图形，在所述第二区域的图形材料层中形成第二目标图形； 其中，所述形成方法还包括进行侧墙调节处理，用于调节所述第二目标图形的节距和数量中的一种或两种，所述侧墙调节处理包括以下侧墙处理方式中的一种或多种，所述侧墙处理方式包括：在形成所述第一侧墙的步骤中，在所述第二区域中，使位于所述核心层的相对侧壁上的第一侧墙相接触；在形成所述第二侧墙的步骤中，在所述第二区域中，使位于部分所述第一侧墙的相对侧壁上的第二侧墙相接触；去除所述第一侧墙之后，以所述第二侧墙为掩膜图形化所述图形材料层之前，去除位于所述第一区域中的所述第二侧墙。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。