三星电子株式会社赵珉熙获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113130379B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011264983.1，技术领域涉及：H01L21/765；该发明授权半导体器件及其制造方法是由赵珉熙;朴玄睦;宋珉宇;宋宇彬;吴贤实;李玟洙设计研发完成，并于2020-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：一种半导体器件包括：衬底，包括有源区和器件隔离区；在衬底上形成的平板结构；氧化物半导体层，在有源区和器件隔离区中覆盖所述平板结构的顶表面并且连续地设置在衬底的顶表面上；栅极结构，设置在氧化物半导体层上并且包括栅极介电层和栅电极；以及源漏区，设置在栅极结构的两侧并形成在氧化物半导体层中，其中当从侧横截面观察时，平板结构的延伸方向和栅极结构的延伸方向彼此交叉。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 衬底，包括有源区和器件隔离区； 平板结构，形成在所述衬底上； 氧化物半导体层，覆盖所述平板结构的顶表面并且在所述有源区和所述器件隔离区中连续地设置在所述衬底的顶表面上； 栅极结构，设置在所述氧化物半导体层上并且包括栅极介电层和栅电极； 源漏区，设置在所述栅极结构的两侧并且形成在所述氧化物半导体层中；以及 沟道区，形成在所述氧化物半导体层内部并且设置在所述栅极结构下方； 其中，当从侧横截面观察时，所述平板结构的延伸方向和所述栅极结构的延伸方向彼此交叉。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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