半导体元件工业有限责任公司S·谢列兹诺夫获国家专利权
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龙图腾网获悉半导体元件工业有限责任公司申请的专利形成半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112786534B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011046504.9，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权形成半导体器件的方法是由S·谢列兹诺夫;P·沙玛设计研发完成，并于2020-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本形成半导体器件的方法在说明书摘要公布了：本发明题为“形成半导体器件的方法”。在一个实施方案中，形成神经网络电路的方法可包括形成覆盖在半导体衬底上的介电层，该半导体衬底具有形成在该半导体衬底中的有源器件。可在该介电层中形成开口，并且可在该开口内形成串联连接的电阻器和二极管。
本发明授权形成半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，所述半导体器件具有神经网络，所述半导体器件包括： 半导体衬底，所述半导体衬底具有在所述半导体衬底上形成的掺杂层，所述掺杂层具有多个掺杂区域，所述多个掺杂区域为所述半导体器件的有源区域的部分； 覆盖在所述掺杂层上面的第一介电层； 通过所述第一介电层的第一多个通孔； 所述第一多个通孔内的第一突触电路，所述第一突触电路包括与具有基本固定的电阻的第一电阻器串联连接的第一二极管； 每个第一突触电路的输入部被形成为接收多个输入信号中的输入信号； 所述第一介电层下面的第二介电层； 所述第二介电层内的第二多个通孔； 所述第二多个通孔内以形成多个第一累加节点的第一导体，其中所述第一导体中的至少一个被连接以从所述第一突触电路中的两个或更多个第一突触电路接收输出信号； 所述第二介电层下面的第三介电层； 所述第三介电层中的第三多个通孔；以及 所述第三多个通孔中的每一个内的第二突触电路，所述第二突触电路包括第二二极管和第二电阻器，其中所述第二电阻器具有另一个基本固定的值并且其中所述第二二极管与所述第二电阻器直接串联连接，并且其中所述第一导体之一连接到所述第二突触电路中的两个或更多个第二突触电路的输入部。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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