朗姆研究公司巴晓兰获国家专利权
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龙图腾网获悉朗姆研究公司申请的专利多层特征填充获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112514052B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980051278.2，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权多层特征填充是由巴晓兰;邓若鹏;高举文;桑杰·戈皮纳特;劳伦斯·施洛斯设计研发完成，并于2019-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本多层特征填充在说明书摘要公布了：本发明描述了用导电材料填充半导体衬底结构的方法和装置。所述方法包括在结构中沉积多层主体金属膜，其中一种或多种沉积条件在从层到层过渡时改变。所述方法导致高填充质量、高产量、低前体消耗和低粗糙度。还提供了执行该方法的多站式室。
本发明授权多层特征填充在权利要求书中公布了：1.一种用导电材料填充部分制造的半导体衬底的3-D结构的方法，所述3-D结构包括侧壁，在所述侧壁中的多个开口通向具有多个内部区域的多个特征，所述多个内部区域能通过所述开口流体地进入，所述方法包括： 在所述3-D结构内沉积所述导电材料的第一主体层，使得所述第一主体层部分地填充所述3-D结构的所述多个内部区域； 在所述3-D结构内，在所述第一主体层上沉积所述导电材料的第二主体层，使得所述第二主体层至少部分地填充所述3-D结构的所述多个内部区域；以及 在所述3-D结构内，在所述侧壁上沉积所述导电材料的第三主体层，其中在不同条件下沉积所述第一主体层、所述第二主体层和所述第三主体层， 其中，在所述第一主体层的沉积期间的含金属前体的脉冲的流率和脉冲时间中的一者或多者大于在所述第二主体层和所述第三主体层的沉积期间的所述含金属前体的脉冲的流率和脉冲时间中的一者或多者。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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