卡尔蔡司SMT有限责任公司;卡尔蔡司显微镜有限责任公司B.路易斯获国家专利权
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龙图腾网获悉卡尔蔡司SMT有限责任公司;卡尔蔡司显微镜有限责任公司申请的专利判定半导体结构的检测系统和检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112335013B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980043490.4，技术领域涉及：H01J49/00；该发明授权判定半导体结构的检测系统和检测方法是由B.路易斯;W.库恩;D.夏;S.麦克维;U.曼茨设计研发完成，并于2019-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本判定半导体结构的检测系统和检测方法在说明书摘要公布了：一种用来判定半导体结构的检测系统1。该检测系统具有离子束源2，用于用离子束3对要判定的结构进行空间解析展示。进一步，二次离子侦测装置12包括质谱仪13。该质谱仪13能够测量给定带宽内的离子质荷比。
本发明授权判定半导体结构的检测系统和检测方法在权利要求书中公布了：1.一种判定半导体结构的检测系统1， -具有离子束源2，用于用离子束3对要判定的结构进行空间解析展示； -具有二次离子侦测装置12； -其中该二次离子侦测装置12包括质谱仪13； -其中该质谱仪13能够同时测量给定带宽内的离子质荷比；以及 -其中该二次离子侦测装置12包括二次离子侦测单元19和二次离子转移单元20，所述二次离子转移单元能够在以下之间移动： -第一转移位置，在该第一转移位置中，该二次离子转移单元20将从要判定的探针结构的目标体积发出的二次离子7、9转移到该二次离子侦测单元19；以及 -第二中立位置，在该第二中立位置中，该二次离子转移单元20不抵消在束相互作用区域内产生的二次电子和或二次离子。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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