台湾积体电路制造股份有限公司林哲宇获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110660738B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910440377.1，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体装置的形成方法是由林哲宇;陈建鸿;萧文助设计研发完成，并于2019-05-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置的形成方法在说明书摘要公布了：在一实施例中，装置包括：基板；第一半导体层，自基板延伸，且第一半导体层包括硅；第二半导体层，位于第一半导体层上，且第二半导体层包括硅锗，其中第二半导体层的边缘部分具有第一锗浓度，第二半导体层的中心部分具有第二锗浓度，第二锗浓度小于第一锗浓度，且第二半导体层的边缘部分包括第二半导体层的侧部与上表面；栅极堆叠，位于第二半导体层上；轻掺杂源极漏极区，位于第二半导体层中，且轻掺杂源极漏极区与栅极堆叠相邻；以及源极与漏极区，延伸至轻掺杂源极漏极区中。
本发明授权半导体装置的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的形成方法，包括： 成长一半导体层于一基板上，该基板包括硅，且该半导体层包括硅锗； 蚀刻多个沟槽于该半导体层与该基板中，以形成含一第一部分与一第二部分的一鳍状物，该第一部分包括所述沟槽之间的该基板的一部分，该第二部分包括所述沟槽之间的该半导体层的一部分，该第一部分具有一第一宽度，而该第二部分具有一第二宽度； 在蚀刻所述沟槽于该半导体层与该基板中之后，在该鳍状物的上表面与侧部上进行一氢自由基处理制程，且在该氢自由基处理制程之后减少该鳍状物的上表面与侧部的硅浓度，并在该氢自由基处理制程之后减少该鳍状物的该第二部分的该第二宽度；以及 沿着该鳍状物的上表面与侧部形成一金属栅极堆叠。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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