湖北九峰山实验室袁俊获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利纵向光控单元和半导体耐压单元复合器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120035237B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510506425.8，技术领域涉及：H10F39/10；该发明授权纵向光控单元和半导体耐压单元复合器件及其制作方法是由袁俊;李明哲;彭若诗;朱厉阳;徐少东设计研发完成，并于2025-04-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本纵向光控单元和半导体耐压单元复合器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种纵向光控单元和半导体耐压单元复合器件及其制作方法，复合器件中的耐压单元的形成为n‑外延层和n+外延层与衬底层共同构建得到；电控单元的形成为在n+外延层上进行Si离子注入形成n++外延层，n++外延层与欧姆金属形成源电极；n++外延层和n+外延层两侧分别依次设有栅介质P+区、栅金属和层间介质；光控单元的形成为在n+外延层从表面往衬底层方向构建沟槽结构，形成P型薄膜层，P型薄膜层与n+外延层构成PN结形成局部耗尽区，P型薄膜层内壁侧设有光控电极。本发明将宽禁带半导体耐压材料替换传统的硅基材料，进行结构创新，从根本上提高光控功率器件的物理极限，对应光控功率器件能够在更高温度、更高电压以及更恶劣环境下稳定工作。
本发明授权纵向光控单元和半导体耐压单元复合器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种纵向光控单元和宽禁带半导体耐压单元复合器件，其特征在于，包括：衬底层、n-外延层、n+外延层、n++外延层、耐压单元、电控单元及光控单元； 所述n-外延层和所述n+外延层自下至上依次叠加设于所述衬底层上；所述衬底层的材料为Ga2O3材料； 所述耐压单元的形成为所述n-外延层和所述n+外延层与所述衬底层共同构建得到；所述电控单元和所述光控单元分别设于所述耐压单元上； 其中，所述电控单元的形成为在所述n+外延层上进行Si离子注入形成所述n++外延层，所述n++外延层与欧姆金属形成源电极；所述n++外延层和所述n+外延层两侧分别依次设有栅介质P+区、栅金属和层间介质； 所述光控单元的形成为在所述n+外延层从表面往所述衬底层方向构建沟槽结构，通过溅射剥离工艺形成P型薄膜层，所述P型薄膜层与所述n+外延层构成PN结形成局部耗尽区，所述P型薄膜层的内壁侧设有光控电极。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖北九峰山实验室，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区九龙湖街9号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号