陛通半导体设备(苏州)有限公司邬靖获国家专利权
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龙图腾网获悉陛通半导体设备(苏州)有限公司申请的专利一种使用高频脉冲电源生长溅射铜膜的工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120006237B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510497306.0，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种使用高频脉冲电源生长溅射铜膜的工艺方法是由邬靖;宋维聪;周云;李文涛设计研发完成，并于2025-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种使用高频脉冲电源生长溅射铜膜的工艺方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种使用高频脉冲电源生长溅射铜膜的工艺方法，包括以下步骤：提供PVD腔体、晶圆，PVD腔体内设置有靶材、加热器，靶材设置有HIPIMS电源、DC电源，加热器下方设置有一AC电源；晶圆位于加热器上；靶材在HIPIMS电源的情况下，控制PVD腔体的溅射参数；将靶材的电源切换到DC电源，控制PVD腔体的溅射参数：设置功率15‑25kw，AC电源偏压功率100‑300w，直到满足镀铜层的化学和机械抛光，本发明解决了现在大多数磁控溅射腔体，其使用场景大多为平面镀膜，其填孔能力较差，尤其在高深宽比的应用场景时，不能很好的满足制程的需求。
本发明授权一种使用高频脉冲电源生长溅射铜膜的工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种使用高频脉冲电源生长溅射铜膜的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1：提供PVD腔体、晶圆，所述PVD腔体内设置有靶材、加热器，所述靶材设置有HIPIMS电源、DC电源，所述加热器下方设置有一AC电源；所述晶圆位于加热器上； 步骤S2：靶材在HIPIMS电源的情况下，控制PVD腔体的溅射参数为：真空条件下充入Ar，功率设置12kw，平均脉冲电流500A，脉冲时间50us，工艺压力10mT，AC电源偏压功率150w，直到种籽层的沟槽孔的铜膜厚度达到在DC电源模式下铜生长的要求，控制沉积铜膜速率为50-100nmmin； 步骤S3：将靶材的电源切换到DC电源，控制PVD腔体的溅射参数：设置DC电源功率18kw，AC电源偏压功率200w，直到满足镀铜层化学机械研磨的要求，其中AC电源采用13.56MHz交流电源，施加在加热器上，通过对加热器施加背压给晶圆实时降温，控制沉积铜膜速率为大于400nmmin。
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