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龙图腾网获悉杭州广立微电子有限公司申请的专利用于监控外延工艺对晶体管性能影响的测试结构及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111769102B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010678509.7，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权用于监控外延工艺对晶体管性能影响的测试结构及方法是由陈海平设计研发完成，并于2020-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于监控外延工艺对晶体管性能影响的测试结构及方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种用于监控外延工艺对晶体管性能影响的测试结构及方法，该测试结构包括晶体管测试区和密度控制区；密度控制区设有多个有源区密度相同的基本单元，能通过设置不同数量比例的P型单元和N型单元，实现对测试结构中目标外延层密度的控制；晶体管测试区设有若干个目标基本单元，且通过测试线路并联每个目标基本单元中的一个晶体管，用于测量评估晶体管的性能；其中，基本单元至少包括一个晶体管，目标基本单元是指P型单元和N型单元中的其中一种类型的基本单元，且目标基本单元的晶体管采用了分子外延工艺；有源区密度是指基本单元中有源区的面积占比；目标外延层的密度是指目标基本单元的外延层在电路版图中的面积占比。

本发明授权用于监控外延工艺对晶体管性能影响的测试结构及方法在权利要求书中公布了：1.一种用于监控外延工艺对晶体管性能影响的测试结构，其特征在于，所述测试结构包括晶体管测试区和密度控制区； 所述密度控制区设有多个有源区密度相同的基本单元，能通过设置不同数量比例的P型单元和N型单元，实现对所述测试结构中目标外延层密度的控制； 所述晶体管测试区设有若干个目标基本单元，且通过测试线路并联每个目标基本单元中的其中一个晶体管，用于测量评估晶体管的性能； 其中，每个所述基本单元均至少包括一个晶体管，所述P型单元为晶体管为P沟MOS晶体管的基本单元，所述N型单元为晶体管为N沟MOS晶体管的基本单元；所述目标基本单元是指P型单元和N型单元中的其中一种类型的基本单元，且目标基本单元的晶体管采用了分子外延工艺;所述有源区密度为所述基本单元中有源区的面积占比；所述目标外延层的密度为目标基本单元的外延层在电路版图中的面积占比； 设置若干不同目标外延层密度的测试结构，测量在不同目标外延层密度下的晶体管电性参数，获取目标外延层密度监控范围内晶体管电性参数与目标外延层密度的关系。

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