三星电子株式会社黄盛珉获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利三维半导体存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112563281B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010616669.9，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权三维半导体存储器件是由黄盛珉;梁宇成;任峻成;金志荣;金智源设计研发完成，并于2020-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维半导体存储器件在说明书摘要公布了：公开了一种三维半导体存储器件，该三维半导体存储器件包括：衬底，包括单元阵列区域和连接区域；堆叠，包括顺序地堆叠在衬底上的第一堆叠和第二堆叠，该堆叠在堆叠连接区域上具有阶梯结构，第一堆叠和第二堆叠中的每一个包括竖直地堆叠在衬底上的导电图案；以及接触插塞，设置在连接区域上并分别耦接至导电图案。每个接触插塞的底表面位于相应的导电图案的顶表面和底表面之间。在每个堆叠中，当从相应的导电图案的顶表面测量时，每个接触插塞的凹陷深度在导电图案的堆叠方向上单调变化。与第一堆叠的最上导电图案和第二堆叠的最下导电图案耦接的接触插塞具有离散的凹陷深度。
本发明授权三维半导体存储器件在权利要求书中公布了：1.一种三维半导体存储器件，包括： 衬底，包括单元阵列区域和连接区域； 堆叠，包括第一堆叠和第二堆叠，所述第一堆叠和所述第二堆叠顺序地堆叠在所述衬底上，所述堆叠在所述连接区域上具有阶梯结构，所述阶梯结构的多个阶梯在第一方向上减小，所述第一堆叠和所述第二堆叠中的每一个包括竖直地堆叠在所述衬底上的导电图案；以及 接触插塞，在所述连接区域上并分别耦接至所述第一堆叠和所述第二堆叠的所述导电图案， 其中，每个所述接触插塞的底表面在相应的一个所述导电图案的顶表面和底表面之间， 在所述第一堆叠中，相邻的接触插塞的凹陷深度在所述第一方向上单调变化，所述凹陷深度是从相应的一个所述导电图案的顶表面测量的， 在所述第二堆叠中，相邻的接触插塞的凹陷深度在所述第一方向上单调变化，所述凹陷深度是从相应的一个所述导电图案的顶表面测量的，以及 所述凹陷深度变化以在所述第一堆叠和所述第二堆叠中彼此相邻的接触插塞之间具有弯折。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号