三星电子株式会社曺正铉获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利混合中介体及半导体封装件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111653561B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010141944.6，技术领域涉及：H10D80/30；该发明授权混合中介体及半导体封装件是由曺正铉;许荣植;李荣官;金钟录设计研发完成，并于2020-03-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本混合中介体及半导体封装件在说明书摘要公布了：本公开提供一种混合中介体及半导体封装件，所述半导体封装件包括：中介体，包括芯基板和连接结构，所述芯基板具有腔并且具有使所述芯基板的上表面和下表面连接的贯通过孔，并且所述连接结构包括位于所述芯基板的上表面上的绝缘构件和位于所述绝缘构件上的重新分布层；半导体芯片，位于所述连接结构的上表面上，并且包括连接到所述重新分布层的连接垫；无源组件，容纳在所述腔中；第一绝缘层，设置在所述芯基板与所述连接结构之间；第一布线层，位于所述第一绝缘层上，并且将所述贯通过孔和所述无源组件连接到所述重新分布层；第二绝缘层，位于所述芯基板的下表面上；以及第二布线层，位于所述第二绝缘层的下表面上，并且连接到所述贯通过孔。
本发明授权混合中介体及半导体封装件在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装件，包括： 中介体，包括芯基板和连接结构，所述芯基板具有第一腔和第二腔并且具有使所述芯基板的上表面和下表面彼此连接的贯通过孔，并且所述连接结构包括设置在所述芯基板的上表面上的绝缘构件和设置在所述绝缘构件上的重新分布层； 至少一个半导体芯片，设置在所述连接结构的上表面上，并且包括连接到所述重新分布层的连接垫； 多个无源组件，分别容纳在所述第一腔和所述第二腔中； 第一绝缘层，设置在所述芯基板与所述连接结构之间，并且将所述多个无源组件包封在所述第一腔和所述第二腔中； 第一布线层，设置在所述第一绝缘层上，并且将所述贯通过孔和所述多个无源组件连接到所述重新分布层； 第二绝缘层，设置在所述芯基板的下表面上；以及 第二布线层，设置在所述第二绝缘层的下表面上，并且连接到所述贯通过孔， 其中，所述多个无源组件的下表面、所述芯基板的下表面和所述第二绝缘层的上表面位于相同的高度处并且彼此共面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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