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厦门三安光电有限公司夏宏伟获国家专利权

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龙图腾网获悉厦门三安光电有限公司申请的专利发光二极管获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114551678B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210138792.3,技术领域涉及:H10H20/831;该发明授权发光二极管是由夏宏伟;马全扬;王绘凝;林雅雯;张平;林素慧;杨人龙;张中英设计研发完成,并于2022-02-15向国家知识产权局提交的专利申请。

发光二极管在说明书摘要公布了:本申请公开的发光二极管包括:半导体叠层,包括依次堆叠的第一半导体层、第二半导体层以及位于两者之间的有源层;第一电极和第二电极,分别形成于所述第一半导体层或所述第二半导体层上,所述第一电极和第二电极具有与所述第一半导体层或所述第二半导体层接触的第一表面、与所述第一表面相对的第二表面以及连接所述第一表面和所述第二表面之间的侧面;绝缘层,包括形成于所述第一电极或第二电极的所述第二表面和所述侧面上,所述绝缘层具有多个裸露出所述第一电极或第二电极部分所述第二表面的第一开口;保护电极,通过所述第一开口与所述第一电极或第二电极的所述第二表面接触,并覆盖形成于所述第一电极或第二电极所述侧面的所述绝缘层上。

本发明授权发光二极管在权利要求书中公布了:1.一种发光二极管,包括: 半导体叠层,包括依次堆叠的第一半导体层、第二半导体层以及位于两者之间的有源层; 第一电极和第二电极,分别形成于所述第一半导体层或所述第二半导体层上,所述第一电极和第二电极具有与所述第一半导体层或所述第二半导体层接触的第一表面、与所述第一表面相对的第二表面以及连接所述第一表面和所述第二表面之间的侧面; 绝缘层,包括形成于所述第一电极或第二电极的所述第二表面和所述侧面上,所述绝缘层具有多个裸露出所述第一电极或第二电极部分所述第二表面的第一开口,所述绝缘层为二氧化硅; 保护电极,通过所述第一开口与所述第一电极或第二电极的所述第二表面接触,并覆盖形成于所述第一电极或第二电极所述侧面的所述绝缘层上,所述保护电极包括第一层和第二层,所述第一层包括覆盖形成于所述第一电极或第二电极的所述侧面的所述绝缘层上,所述第一层为铬、镍、钛中的一种或几种,所述第二层为金、铂中的一种或几种。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人厦门三安光电有限公司,其通讯地址为:361100 福建省厦门市同安区洪塘镇镇民安大道841-899号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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