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龙图腾网获悉东莞南玻光伏科技有限公司;中国南玻集团股份有限公司申请的专利一种单晶硅片背表面与氧化铝介面改性优化的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114400272B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111600361.6，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种单晶硅片背表面与氧化铝介面改性优化的方法是由陈家健;祁嘉铭;王丹丹;吴含封;刘泉设计研发完成，并于2021-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单晶硅片背表面与氧化铝介面改性优化的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种单晶硅片背表面与氧化铝介面改性优化的方法，涉及太阳能光伏电池制造技术领域。该方法依次包括以下步骤：将单晶硅片背表面置于蚀刻液中蚀刻，减薄量控制在2.47～2.82μm；所述的蚀刻液包括酸液和添加剂，酸液和添加剂的体积比为100:0.7～1.2；所述的酸液由硝酸、氢氟酸和水组成；所述的添加剂由以下质量分数成分组成：亚硝酸钠0.1～0.5％、酒石酸0.1～0.5％、柠檬酸钠0.1～0.5％、二甲基亚砜0.1～0.5％、十二烷基苯磺酸钠0.1～0.5％，余量水；蚀刻完成后，采用背钝化工艺，在单晶硅片背表面形成氧化铝背膜，氧化铝背膜厚度8‑12nm，膜厚均匀性在5％‑10％范围内。该优化方法，可增强硅片体内的陷光效应，提升硅片少子寿命、电池片开路电压和转换效率。

本发明授权一种单晶硅片背表面与氧化铝介面改性优化的方法在权利要求书中公布了：1.一种单晶硅片背表面与氧化铝介面改性优化的方法，其特征在于，依次包括以下步骤： 将单晶硅片背表面置于蚀刻液中蚀刻，减薄量控制在2.47～2.82μm；所述的蚀刻液包括酸液和添加剂，酸液和添加剂的体积比为100:0.7～1.2；所述的酸液由硝酸、氢氟酸和水组成，硝酸、氢氟酸和水的体积比为13.2：2.4：1，硝酸的质量浓度为60～70％，氢氟酸的质量浓度为45～55％；所述的添加剂由以下质量分数成分组成：亚硝酸钠0.1～0.5％、酒石酸0.1～0.5％、柠檬酸钠0.1～0.5％、二甲基亚砜0.1～0.5％、十二烷基苯磺酸钠0.1～0.5％，余量水； 蚀刻完成后，单晶硅片背面微观结构的金字塔塔尖被充分钝化，呈均匀平滑结构，高度2.5-4um，金字塔塔尖的角度为20°～26°； 蚀刻完成后，采用背钝化工艺，在单晶硅片背表面形成氧化铝背膜，氧化铝背膜厚度8-12nm，膜厚均匀性在5％-10％范围内。

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