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龙图腾网获悉苏州紫灿科技有限公司申请的专利具有调制掺杂电子阻挡层结构的深紫外LED及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203872B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111463623.9，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权具有调制掺杂电子阻挡层结构的深紫外LED及制备方法是由张骏;陈云;张毅;岳金顺设计研发完成，并于2021-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有调制掺杂电子阻挡层结构的深紫外LED及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有调制掺杂电子阻挡层结构的深紫外LED及其制备方法，该具有调制掺杂电子阻挡层结构的深紫外LED包括依次层叠设置的蓝宝石衬底、AlN本征层、n型AlGaN电子注入层、量子阱有源层、调制掺杂电子阻挡层和p型AlGaN空穴注入层，调制掺杂电子阻挡层包括交替排布的若干第一阻挡层和第二阻挡层；第一阻挡层和第二阻挡层均含Mg掺杂，且第一阻挡层的Mg掺杂浓度大于第二阻挡层的Mg掺杂浓度；或者第一阻挡层和第二阻挡层均不含Mg掺杂，在第一阻挡层与第二阻挡层的界面处进行Mg掺杂。本发明通过对电子阻挡层进行调制掺杂，提高了Mg掺杂效率，有效防止Mg向有源区扩散，提高了深紫外LED的发光效率。

本发明授权具有调制掺杂电子阻挡层结构的深紫外LED及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有调制掺杂电子阻挡层结构的深紫外LED，其特征在于，所述具有调制掺杂电子阻挡层结构的深紫外LED包括依次层叠设置的蓝宝石衬底、AlN本征层、n型AlGaN电子注入层、量子阱有源层、调制掺杂电子阻挡层和p型AlGaN空穴注入层，所述调制掺杂电子阻挡层为交替排布的若干第一阻挡层和第二阻挡层； 所述第一阻挡层和第二阻挡层均含Mg掺杂，所述第一阻挡层和第二阻挡层为组分一致的Mg掺杂AlGaN结构，且Al组分百分数均为50~100%，周期数为2~100，所述第一阻挡层的掺杂浓度为1017~1021cm-3，厚度为0.1~50nm，所述第二阻挡层的掺杂浓度为1014~1019cm-3，厚度为0.1~100nm； 或者，所述第一阻挡层和第二阻挡层均含Mg掺杂，所述调制掺杂电子阻挡层为AlxGa1- xNAlyGa1-yN超晶格结构，超晶格结构的周期数为1~50，所述超晶格结构中的AlxGa1-xN和AlyGa1-yN两种膜层，其一膜层为所述第一阻挡层，另一膜层为所述第二阻挡层，其中，x为70~100%，y为60~90%，x不等于y，所述第一阻挡层和第二阻挡层均进行Mg掺杂时，所述第一阻挡层的掺杂浓度为1017~1021cm-3，厚度为0.1~50nm，所述第二阻挡层的掺杂浓度为1014~1019cm-3，厚度为0.1~100nm。

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