济南晶正电子科技有限公司韩智勇获国家专利权
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龙图腾网获悉济南晶正电子科技有限公司申请的专利一种基于离子注入的黑化单晶压电复合薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068803B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111352850.4，技术领域涉及：H10N30/04；该发明授权一种基于离子注入的黑化单晶压电复合薄膜及其制备方法是由韩智勇;郑姗姗;李真宇;刘亚明;孔霞;陈明珠;姜传晓设计研发完成，并于2021-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于离子注入的黑化单晶压电复合薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开的一种基于离子注入的黑化单晶压电复合薄膜及其制备方法，利用离子注入技术，先将剥离离子注入铌酸锂或钽酸锂晶圆内，然后将还原性离子注入到铌酸锂或钽酸锂晶圆的薄膜层内，经过键合、热处理步骤后，剥离离子注入使得键合体在分离层断开分离，还原性离子注入会占据薄膜层中原本更高价态离子的格点，增加铌酸锂或钽酸锂晶体中的氧空位浓度，使单晶薄膜内的载流子浓度提升，进而提高单晶薄膜的电导率，降低电阻率，随后对单晶薄膜进行退火修复，能够有效降低复合薄膜的热释电效应。
本发明授权一种基于离子注入的黑化单晶压电复合薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于离子注入的黑化单晶压电复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括： 准备第一晶圆和衬底基板，其中，所述第一晶圆为铌酸锂晶圆或钽酸锂晶圆； 向所述第一晶圆注入第一离子，将所述第一晶圆依次分为余质层、分离层和薄膜层； 将所述第一晶圆与所述衬底基板键合，得到键合体； 对所述键合体热处理，将所述余质层与所述薄膜层分离，得到单晶压电复合薄膜； 其中，在向所述第一晶圆注入第一离子之后、得到键合体之前，向所述薄膜层中注入第二离子，所述第二离子为氢离子，第二离子的注入剂量和注入能量小于第一离子的注入剂量和注入能量；或者，在得到单晶压电复合薄膜之后，向所述薄膜层表面注入第二离子，所述第二离子为还原性金属离子； 对所述单晶压电复合薄膜黑化还原热处理，得到黑化单晶压电复合薄膜； 对所述黑化单晶压电复合薄膜中的薄膜层表面抛光。
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