清华大学甘霖获国家专利权
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龙图腾网获悉清华大学申请的专利InP纳米柱径向同质结阵列结构的制备方法及太阳能电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114242830B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111294690.2，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权InP纳米柱径向同质结阵列结构的制备方法及太阳能电池是由甘霖;李永卓;孙皓;宁存政设计研发完成，并于2021-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本InP纳米柱径向同质结阵列结构的制备方法及太阳能电池在说明书摘要公布了：本发明公开了一种磷化铟纳米柱径向同质结阵列结构的制备方法，包括以下步骤：将p型InP单晶片清洗、吹干；在p型InP单晶片表面制作纳米柱阵列，并用酸清洗；在纳米柱阵列侧面包裹上氧化层，并镀上透明导电层。本发明涉及的方法在制备过程中，同时实现了磷化铟纳米柱阵列和径向同质结的制备，通过控制刻蚀时间及H2含量，精确控制磷化铟表面掺杂浓度及深度，相比于其他生长径向同质结的方法，本方法设备简单，制备效率高。本发明还提供了一种太阳能电池，本发明提供的太阳能电池有较高的太阳光吸收率及转换效率。
本发明授权InP纳米柱径向同质结阵列结构的制备方法及太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种磷化铟纳米柱径向同质结阵列结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1将p型磷化铟单晶片清洗、吹干； 2在所述p型磷化铟单晶片的其中一个表面制作纳米柱阵列掩膜图形； 3利用电感耦合等离子体刻蚀机，在CH4和H2等离子体中对具有所述纳米柱阵列掩膜图形的所述表面进行刻蚀，得到磷化铟纳米柱径向同质结，所述磷化铟纳米柱径向同质结组成磷化铟纳米柱径向同质结阵列，并将所述磷化铟纳米柱径向同质结阵列放进食人鱼酸中清洗； 4在所述磷化铟纳米柱径向同质结阵列表面镀上氧化层，所述氧化层为SiO2或Al2O3，并将除了包裹在所述磷化铟纳米柱径向同质结的侧面之外的所述氧化层刻蚀干净，之后在所述磷化铟纳米柱径向同质结阵列上镀上透明导电层， 采用含有所述H2的等离子体对所述p型磷化铟单晶片进行刻蚀，在所述p型磷化铟单晶片表面得到低掺p型磷化铟层或n型磷化铟层。
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