上海新阳半导体材料股份有限公司;上海芯刻微材料技术有限责任公司方书农获国家专利权
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龙图腾网获悉上海新阳半导体材料股份有限公司;上海芯刻微材料技术有限责任公司申请的专利Krf薄膜光刻用负性光致抗蚀剂组合物及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116027634B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111245412.8，技术领域涉及：G03F7/038；该发明授权Krf薄膜光刻用负性光致抗蚀剂组合物及其制备方法和应用是由方书农;王溯;耿志月;唐晨设计研发完成，并于2021-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本Krf薄膜光刻用负性光致抗蚀剂组合物及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了Krf薄膜光刻用负性光致抗蚀剂组合物及其制备方法和应用。本发明具体公开了一种抗蚀剂组合物在Krf薄膜光刻中的应用，所述抗蚀剂组合物由下述原料制得，所述的原料包括下列以重量份计的组分：80～150份的树脂A、5～20份的树脂B、5～15份的树脂C、3～10份的光酸产生剂、2～10份的交联剂、0.5～2.5份的酸扩散抑制剂和500～2000份的溶剂；其中，所述树脂A和所述树脂C的重量份数的比例为20:3～20:1，所述树脂B和所述树脂C的重量份数的比例为1:2～2:1；所述树脂A为取代苯乙烯树脂，由结构单元组成，其中，m为1或2；R1为H、乙酰基或丙酰基；树脂A的重均分子量为4000～10000，分子量分布指数为1.2～3.0。
本发明授权Krf薄膜光刻用负性光致抗蚀剂组合物及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种抗蚀剂组合物在Krf薄膜光刻中的应用，其特征在于，所述抗蚀剂组合物由下述原料制得，所述的原料包括下列以重量份计的组分：80～150份的树脂A、5～20份的树脂B、5～15份的树脂C、3～10份的光酸产生剂、2～10份的交联剂、0.5～2.5份的酸扩散抑制剂和500～2000份的溶剂；其中，所述树脂A和所述树脂C的重量份数的比例为20:3～20:1，所述树脂B和所述树脂C的重量份数的比例范围为1:2～2:1； 所述树脂A为取代苯乙烯树脂，由结构单元组成； 其中，m为1或2； R1为H、乙酰基或丙酰基； 所述树脂A的重均分子量为4000～10000，分子量分布指数为1.2～3.0； 所述树脂B的结构为： 所述树脂C的结构为： 所述的重均分子量和分子量分布指数由凝胶渗透色谱法测得。
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