上海科技大学米启兮获国家专利权
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龙图腾网获悉上海科技大学申请的专利一种改进型锡基钙钛矿薄膜的制备方法及其应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113991018B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111239125.6,技术领域涉及:H10K71/12;该发明授权一种改进型锡基钙钛矿薄膜的制备方法及其应用是由米启兮;朱子豪设计研发完成,并于2021-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种改进型锡基钙钛矿薄膜的制备方法及其应用在说明书摘要公布了:本发明公开了一种改进型锡基钙钛矿薄膜的制备方法及其应用。本发明的制备方法包括:在清洗的导电玻璃上制备空穴传输层;配制含环状硫酮化合物和锡基钙钛矿材料的前驱液;旋涂前驱液,使用反溶剂一步生成钙钛矿薄膜,并退火,得到锡基钙钛矿薄膜。本发明在涂膜前驱液中引入了一类环状硫酮化合物,该类化合物能够有效地与锡离子配位,从而大幅减缓锡基钙钛矿材料的结晶速率,得到平滑致密、表面缺陷钝化的锡基钙钛矿薄膜,采用该薄膜制备得到的锡基钙钛矿太阳能电池,其光电转换性能、稳定性和工艺重复性都有显著提升,光电转换效率最高超过12%。
本发明授权一种改进型锡基钙钛矿薄膜的制备方法及其应用在权利要求书中公布了:1.一种改进型锡基钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤: 步骤1:在经过清洗的导电玻璃上旋涂空穴传输材料并退火,得到含空穴传输层的导电玻璃; 步骤2:配制含有锡基钙钛矿材料和环状硫酮化合物的前驱液; 步骤3:在步骤1所述的空穴传输层上旋涂步骤2配制的前驱液,使用反溶剂一步生成钙钛矿薄膜,并退火,得到锡基钙钛矿薄膜; 所述步骤2中的环状硫酮化合物选自式I和式II中的至少一种: 其中,n=1或2,取代基R1、R2、R3、R4、R5和R6均选自H或烃基。
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