圆益IPS股份有限公司韩奭俊获国家专利权
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龙图腾网获悉圆益IPS股份有限公司申请的专利薄膜形成方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114639590B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110935574.8，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权薄膜形成方法及装置是由韩奭俊;李太浣;洪荣俊设计研发完成，并于2021-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜形成方法及装置在说明书摘要公布了：本发明涉及薄膜形成方法及装置，更详细地说，涉及形成栅氧化膜的方法及装置。本发明的薄膜形成方法的一实施例包括：氧化硅薄膜形成步骤，在基板上形成氧化硅薄膜；第一氧氮化硅薄膜形成步骤，在所述氧化硅薄膜上形成第一氧氮化硅薄膜，而且还包括调节所述第一氧氮化硅薄膜中的氮N含量的第一工艺条件来形成第一氧氮化硅薄膜；第二氧氮化硅薄膜形成步骤，在所述第一氧氮化硅薄膜上形成第二氧氮化硅薄膜，而且还包括调节所述第二氧氮化硅薄膜中的氮N含量的第二工艺条件来形成第二氧氮化硅薄膜；其中，调节所述第一工艺条件和所述第二工艺条件，以使所述第一氧氮化硅薄膜中的氮N含量大于所述第二氧氮化硅薄膜中的氮N含量。
本发明授权薄膜形成方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种形成具有氮浓度梯度的氧氮化硅薄膜的薄膜形成方法，其特征在于，包括： 氧化硅薄膜形成步骤，在基板上形成氧化硅薄膜； 第三氧氮化硅薄膜形成步骤，在所述氧化硅薄膜上形成第三氧氮化硅薄膜，而且还包括调节所述第三氧氮化硅薄膜中的氮含量的第三工艺条件来形成第三氧氮化硅薄膜； 第一氧氮化硅薄膜形成步骤，在所述第三氧氮化硅薄膜上形成第一氧氮化硅薄膜，而且还包括调节所述第一氧氮化硅薄膜中的氮含量的第一工艺条件来形成第一氧氮化硅薄膜； 第二氧氮化硅薄膜形成步骤，在所述第一氧氮化硅薄膜上形成第二氧氮化硅薄膜，而且还包括调节所述第二氧氮化硅薄膜中的氮含量的第二工艺条件来形成第二氧氮化硅薄膜； 其中，调节所述第一工艺条件、所述第二工艺条件及所述第三工艺条件，以使所述第一氧氮化硅薄膜中的氮含量大于所述第二氧氮化硅薄膜中的氮含量，且所述第三氧氮化硅薄膜中的氮含量小于所述第二氧氮化硅薄膜中的氮含量。
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