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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121988B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110817601.1，技术领域涉及：H10B43/10；该发明授权半导体存储装置是由武木田秀人;葛川翔太郎;野岛和弘设计研发完成，并于2021-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储装置在说明书摘要公布了：实施方式提供能够小型化的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备半导体基板和存储单元阵列，半导体基板具备在与其表面交叉的第1方向和与其表面交叉的第2方向上依次排列的第1区域～第3区域。存储单元阵列具备：第1导电层，其在第1方向上层叠；第3绝缘层，其设置于第2区域，在第1方向上层叠；第4绝缘层，其设置于第2区域，位于第3绝缘层的与第1方向和第2方向交叉的第3方向的侧面与第1导电层的第3方向的侧面之间，在第1方向和第2方向上延伸；以及第5绝缘层，其设置于第2区域，位于第3绝缘层的第2方向的侧面与第1导电层的第2方向的侧面之间，在第1方向和第3方向上延伸。在第1方向上，第5绝缘层的第1方向上的半导体基板侧的端部位置与第4绝缘层的第1方向上的半导体基板侧的端部位置不同。

本发明授权半导体存储装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，具备： 半导体基板；和 存储单元阵列，其在与所述半导体基板的表面交叉的第1方向上，与所述半导体基板分离地配置， 所述半导体基板具备在与所述第1方向交叉的第2方向上依次排列的第1区域～第3区域， 所述存储单元阵列具备： 多个第1导电层，其在所述第2方向上从所述第1区域经由所述第2区域延伸到所述第3区域，与多个第1绝缘层一起在所述第1方向上交替地层叠； 第1半导体层，其设置在所述第1区域，在所述第1方向上延伸，与所述多个第1导电层相对向； 第2半导体层，其设置在所述第3区域，在所述第1方向上延伸，与所述多个第1导电层相对向； 多个第3绝缘层，其设置在所述第2区域，与多个第2绝缘层一起在所述第1方向上交替地层叠； 第1接触部，其设置在所述第2区域，在所述第1方向上延伸，与所述多个第3绝缘层相对向，所述第1方向上的一端比所述多个第1导电层靠近所述半导体基板，所述第1方向上的另一端比所述多个第1导电层远离所述半导体基板； 第4绝缘层，其设置在所述第2区域，位于所述多个第3绝缘层的与所述第1方向和所述第2方向交叉的第3方向上的侧面和所述多个第1导电层的所述第3方向上的侧面之间，在所述第1方向和所述第2方向上延伸；以及 第5绝缘层，其设置在所述第2区域，位于所述多个第3绝缘层的所述第2方向上的侧面与所述多个第1导电层的所述第2方向上的侧面之间，在所述第1方向和所述第3方向上延伸， 所述第5绝缘层的所述第1方向上的所述半导体基板侧的端部比所述第4绝缘层的所述第1方向上的所述半导体基板侧的端部靠近所述半导体基板，或者比所述第4绝缘层的所述第1方向上的所述半导体基板侧的端部远离所述半导体基板。

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