三星电子株式会社朴商五获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件以及制造该半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068552B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110749363.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件以及制造该半导体器件的方法是由朴商五;李东俊;金根楠;梁承薰设计研发完成，并于2021-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件以及制造该半导体器件的方法在说明书摘要公布了：半导体器件可以包括基板，该基板包括单元区域以及核心外围区域。多个位线结构可以在基板的单元区域中。栅极结构可以在基板的核心外围区域中。下接触插塞和上接触插塞可以在位线结构之间。下接触插塞和上接触插塞可以在竖直方向上堆叠。着陆焊盘图案可以接触上接触插塞的上侧壁。着陆焊盘图案可以在上接触插塞的上部与位线结构中的一个的上部之间。着陆焊盘图案的上表面可以高于位线结构中的每个的上表面。外围接触插塞可以在基板的核心外围区域中。布线可以电连接到外围接触插塞的上表面。
本发明授权半导体器件以及制造该半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 包括单元区域和核心外围区域的基板； 在所述基板的单元区域中的多个位线结构； 在所述基板的核心外围区域中的栅极结构； 在所述位线结构之间的下接触插塞和上接触插塞，所述下接触插塞和所述上接触插塞在竖直方向上堆叠； 与所述上接触插塞的上侧壁接触的着陆焊盘图案，所述着陆焊盘图案在所述上接触插塞的上部与所述多个位线结构中的第一位线结构的上部之间，其中，所述着陆焊盘图案的上表面高于所述位线结构中的每个的上表面；和 在所述基板的核心外围区域中的外围接触插塞；以及 电连接到所述外围接触插塞的上表面的布线； 其中，所述着陆焊盘图案的上表面与所述布线的上表面彼此共面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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