无锡华润上华科技有限公司周耀辉获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡华润上华科技有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115483154B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110667447.4，技术领域涉及：H10D86/01；该发明授权半导体器件及其制造方法是由周耀辉;王德进;秦仁刚;孙晓峰;文浩宇设计研发完成，并于2021-06-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：在衬底上形成用于划分出有源区的隔离结构；在衬底和隔离结构上形成第一栅氧层；在第一栅氧层上形成光刻胶，并对光刻胶进行显影；通过等离子体使显影形成的光刻胶残渣颗粒被反应去除；通过蚀刻去除未被光刻胶保护的位置处的第一栅氧层，形成第一栅氧结构；形成第二栅氧结构；在第一栅氧结构上形成第一栅极，在第二栅氧结构上形成第二栅极。本发明通过等离子体去除显影形成的光刻胶残渣颗粒，可以提升隔离结构与有源区的交界处的第二栅氧结构的完整性致密性，从而解决第二器件GOI失效的问题。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，包括： 获取在衬底上形成有隔离结构的晶圆，所述隔离结构用于划分出有源区； 在所述衬底和隔离结构上形成第一栅氧层； 在所述第一栅氧层上形成光刻胶，并对所述光刻胶进行显影，从而将不需要形成第一栅极的位置处的光刻胶去除； 通过等离子体使显影形成的光刻胶残渣颗粒被反应去除； 通过蚀刻去除未被所述光刻胶保护的位置处的第一栅氧层，形成第一栅氧结构； 使用稀氢氟酸对晶圆进行表面处理，确保所述隔离结构和有源区的交界处的第一栅氧层被去除干净； 在所述表面处理后形成第二栅氧结构； 在所述第一栅氧结构上形成第一栅极，在所述第二栅氧结构上形成第二栅极，所述第二栅极延伸至所述隔离结构的上表面； 其中，所述第一栅极为第一器件的栅极，所述第二栅极为第二器件的栅极，所述第一器件的工作电压大于所述第二器件的工作电压，所述第一栅氧结构的厚度大于所述第二栅氧结构的厚度。
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