高通股份有限公司唐晨杰获国家专利权
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龙图腾网获悉高通股份有限公司申请的专利采用调谐凹陷深度栅极以获得改进设备线性度的多栅极高电子迁移率晶体管(HEMT)获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115315814B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180024710.6，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权采用调谐凹陷深度栅极以获得改进设备线性度的多栅极高电子迁移率晶体管(HEMT)是由唐晨杰;陆叶;P·冯;鲍军静设计研发完成，并于2021-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本采用调谐凹陷深度栅极以获得改进设备线性度的多栅极高电子迁移率晶体管(HEMT)在说明书摘要公布了：多栅极HEMT包括至少两个栅极202，204，其中至少一个栅极204与至少一个其他栅极202相比，在势垒层206中凹陷相同的深度或更深的深度。使栅极凹陷将栅极下方的势垒层206的厚度减小，这减小了在势垒层206和凹陷栅极204下方的缓冲层210的异质结处形成的二维电子气层2DEG导电沟道中的高迁移率载流子的密度。凹陷栅极可以增加2DEG导电沟道的栅极控制。多栅极HEMT具有至少一个栅极，该至少一个栅极与另一个栅极相比，凹陷到缓冲层中相同的深度或更深的深度，这为不同的栅极形成至少两个不同的开启电压。这可以实现跨导线性度的改进和阈值电压的正向移动。
本发明授权采用调谐凹陷深度栅极以获得改进设备线性度的多栅极高电子迁移率晶体管(HEMT)在权利要求书中公布了：1.一种高电子迁移率晶体管HEMT，包括： 缓冲层，在衬底上方； 势垒层，在所述缓冲层上方； 二维电子气层2DEG导电沟道，在介于所述势垒层的下表面与所述缓冲层之间的异质结处； 源极和漏极，各自电耦合到所述2DEG导电沟道； 第一栅极，包括与在所述源极和所述漏极之间的所述势垒层直接接触的下表面，并且所述第一栅极的长度在从所述源极到所述漏极的方向上延伸；以及 第二栅极，在所述第一栅极与所述漏极之间，所述第二栅极包括第二下表面，所述第二下表面与所述势垒层直接接触并且凹陷到所述势垒层中的深度比所述第一栅极的所述下表面更深，并且所述第二栅极的长度在所述方向上延伸。
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