晶呈科技股份有限公司刘埃森获国家专利权
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龙图腾网获悉晶呈科技股份有限公司申请的专利磁性发光二极管晶粒转移的对准模块及其对准方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114628305B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110042369.9，技术领域涉及：H01L21/683；该发明授权磁性发光二极管晶粒转移的对准模块及其对准方法是由刘埃森;冯祥铵;涂家玮;陈亚理设计研发完成，并于2021-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁性发光二极管晶粒转移的对准模块及其对准方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种磁性发光二极管晶粒转移的对准模块及其对准方法，所述对准模块包括具有至少一凹陷部的驱动背板、磁性发光二极管晶粒及磁力吸引装置，磁力吸引装置位于凹陷部下方，并相对应于凹陷部设置。磁性发光二极管晶粒包含磁性金属基板与形成于磁性金属基板上的周边电极，周边电极环绕设置于磁性金属基板上，且邻近设置于其内侧边缘。凹陷部的深度的设计与磁性金属基板的厚度相等，以利用凹陷部及磁力吸引装置吸引磁性发光二极管晶粒容设并对准转移至驱动背板中。通过本发明的晶粒对准技术，可实现准确的对位效果，同时符合产业进行快速的巨量转移技术。
本发明授权磁性发光二极管晶粒转移的对准模块及其对准方法在权利要求书中公布了：1.一种磁性发光二极管晶粒转移的对准模块，其特征在于，所述磁性发光二极管晶粒转移的对准模块包含： 一驱动背板，具有至少一凹陷部； 一磁力吸引装置，其位于该凹陷部的下方，并相对应于该凹陷部设置；以及 至少一磁性发光二极管晶粒，包含一磁性金属基板与形成于该磁性金属基板上的一周边电极，该周边电极环绕设置于该磁性金属基板上，且邻近设置于该磁性金属基板的内侧边缘，以与该驱动背板上的至少一焊垫提供电性导通，其中，该凹陷部的一深度与该磁性金属基板的一厚度相等，并且，该磁力吸引装置埋设于该驱动背板在对应该凹陷部的一底层中，或是该磁力吸引装置设置于该驱动背板的一外部，以利用该凹陷部及该磁力吸引装置的磁性吸引该磁性发光二极管晶粒容设并对准转移至该驱动背板中。
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