东京毅力科创株式会社杰弗里·史密斯获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利三维逻辑器件的反向触点和硅化物工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114450772B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080067413.5，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权三维逻辑器件的反向触点和硅化物工艺是由杰弗里·史密斯;新实宽明;约迪·格热希科维亚克;丹尼尔·沙内穆加梅;拉尔斯·利布曼;苏巴迪普·卡尔;坎达巴拉·塔皮利;安东·德维利耶设计研发完成，并于2020-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维逻辑器件的反向触点和硅化物工艺在说明书摘要公布了：在衬底上形成第一晶体管的第一源极漏极SD结构，并且其位于第一晶体管的第一沟道结构的第一端处。在第一SD结构的表面上沉积第一替代硅化物层，并且其由第一电介质制成。形成第二电介质以覆盖第一替代硅化物层和第一SD结构。随后在第二电介质中形成第一互连开口，以露出第一替代硅化物层。用第一替代互连层填充第一互连开口，其中，该第一替代互连层由第三电介质制成。进一步地，对衬底执行热处理。去除第一替代互连层和第一替代硅化物层。在第一SD结构的表面上形成第一硅化物层。
本发明授权三维逻辑器件的反向触点和硅化物工艺在权利要求书中公布了：1.一种用于形成半导体器件的方法，该方法包括： 在衬底上形成第一场效应晶体管的第一源极漏极SD结构，该第一SD结构位于该第一场效应晶体管的第一沟道结构的第一端处，该第一沟道结构位于该衬底上方并且沿该衬底的顶表面延伸； 在该第一SD结构的表面上沉积第一替代硅化物层，该第一替代硅化物层由第一电介质制成； 沉积覆盖该第一替代硅化物层和该第一场效应晶体管的第一SD结构的第二电介质； 在该第二电介质中形成第一互连开口，该第一互连开口露出该第一替代硅化物层； 用第一替代互连层填充该第一互连开口，该第一替代互连层由第三电介质制成； 对该衬底执行热处理； 去除该第一替代互连层和该第一替代硅化物层；以及 在该第一场效应晶体管的第一SD结构的表面上沉积第一硅化物层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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