QORVO美国公司詹姆斯·D·赫夫曼获国家专利权
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龙图腾网获悉QORVO美国公司申请的专利钌接触件的抗粘连增强获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114269683B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080056073.6，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权钌接触件的抗粘连增强是由詹姆斯·D·赫夫曼;迈克尔·雷诺;柴约蒂·高希·达斯蒂德;兰斯·巴伦;威利布罗德斯·G·M·范·登·赫克设计研发完成，并于2020-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本钌接触件的抗粘连增强在说明书摘要公布了：一种制造MEMS装置的方法。所述MEMS装置具有空腔，横梁将在所述空腔中移动以改变所述装置的电容。在已发生大部分装置堆积之后，去除牺牲材料以在所述MEMS装置空腔内释放所述横梁。此后，暴露的钌接触件暴露于氟以进行以下中的任一者：掺杂暴露的钌且减少表面粘附力，在暴露的钌表面上形成氟化自组装单层，在暴露的钌上沉积纳米钝化膜，或改变所述钌的表面粗糙度。归因于氟处理，存在低电阻、耐久的接触件，并且所述接触件不太易受粘连事件影响。
本发明授权钌接触件的抗粘连增强在权利要求书中公布了：1.一种制造MEMS装置的方法，其包括： 形成包括射频RF电极的衬底，所述RF电极具有包括钌的第一接触表面，其中 第一锚电极设置在所述衬底上方并且其中第二锚电极设置在所述衬底上方，其中RF电极设置在第一锚电极和第二锚电极之间的所述衬底中，并且其中上拉电极设置在第一锚电极和第二锚电极之间的横梁结构上方； 在空腔内形成所述横梁结构，其中所述横梁结构包含接触部分，所述接触部分具有包括钌的第二接触表面，所述接触部分设置在RF电极的第一接触表面上方，并且 当所述横梁结构处于下拉状态时，第二接触表面接触第一接触表面；并且所述空腔含有牺牲材料； 从所述空腔去除所述牺牲材料以释放所述横梁结构以在所述空腔内移动，其中第一接触表面和第二接触表面暴露在所述空腔中，并且当所述横梁结构处于下拉状态时，所述接触部分的第二接触表面接触所述RF电极的第一接触表面； 将氟引入到所述空腔中，使得包含钌的第一接触表面被氟改性，并且包含钌的第二接触表面被氟改性；以及 密封所述空腔。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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