买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉福建省福芯电子科技有限公司申请的专利一种过压保护电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114069553B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010755375.4，技术领域涉及：H02H3/20；该发明授权一种过压保护电路是由何巧蓉;陈崴;张荣晶;秦小玉;郑达真设计研发完成，并于2020-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种过压保护电路在说明书摘要公布了：本发明公开一种过压保护电路，包括第一电流镜单元、第二电流镜单元、电阻分压单元、迟滞比较器；第一电流镜单元的电流输入端通过NMOS管NM1、电阻R2和NMOS管NM2与电路电源地连接，第一电流镜单元的镜像电流端通过电阻分压单元与电路电源地连接，第二电流镜单元的电流输入端与基准电流源I1连接，第二电流镜单元的镜像电流端与电阻分压单元的一采样信号端VGS连接，电阻分压单元的另一采样信号端Va与迟滞比较器的反相输入端连接，迟滞比较器的正相输入端与参考电压Vref连接，迟滞比较器的输出端输出过压保护信号。本发明所述的电源电压保护电路，电路面积小，制造成本低，不仅适合使用分立器件搭建实用，且易于芯片内部集成。

本发明授权一种过压保护电路在权利要求书中公布了：1.一种过压保护电路，其特征在于：包括第一电流镜单元、第二电流镜单元、电阻分压单元、迟滞比较器； 第一电流镜单元的电流输入端通过NMOS管NM1、电阻R2和NMOS管NM2与电路电源地连接，第一电流镜单元的镜像电流端通过电阻分压单元与电路电源地连接，第二电流镜单元的电流输入端与基准电流源I1连接，第二电流镜单元的镜像电流端与电阻分压单元的一采样信号端VGS连接，电阻分压单元的另一采样信号端Va与迟滞比较器的反相输入端连接，迟滞比较器的正相输入端与参考电压Vref连接，迟滞比较器的输出端输出过压保护信号； 所述迟滞比较器包括PMOS管PM3,PMOS管PM3的源极与比较器电源VCCA、PMOS管PM4的源极、PMOS管PM5的源极、PMOS管PM6的源极和PMOS管PM7的源极连接，PMOS管PM3的栅极与PMOS管PM3的漏极、NMOS管NM8的漏极、PMOS管PM4的栅极、PMOS管PM5的栅极、PMOS管PM6的栅极和PMOS管PM7的栅极连接，NMOS管NM8的栅极与偏置电压Vb1连接，NMOS管NM8的源极与NMOS管NM9的漏极连接，PMOS管PM4的漏极与PMOS管PM8的栅极和PMOS管PM10的源极连接，PMOS管PM10的漏极与NMOS管NM10的漏极和NMOS管NM10的栅极连接，PMOS管PM10的栅极Vinp为所述迟滞比较器的同相输入端，PMOS管PM8的源极与PMOS管PM5的漏极和PMOS管PM9的源极连接，PMOS管PM8的漏极与NMOS管NM11的漏极、NMOS管NM11的栅极和NMOS管NM12的栅极连接，PMOS管PM9的漏极与NMOS管NM12的漏极和NMOS管NM15的栅极连接，PMOS管PM9的栅极与PMOS管PM6的漏极、PMOS管PM11的源极和PMOS管PM12的源极连接，PMOS管PM11的漏极与NMOS管NM14的源级、NMOS管NM13的漏极和NMOS管NM13的栅极连接，PMOS管PM11的栅极与PMOS管PM12的栅极Vinm为所述迟滞比较器的反相输入端，PMOS管PM12的漏极与NMOS管NM14的漏极连接，NMOS管NM15的漏极与PMOS管PM7的漏极和反相器的输入端连接，反相器的输出端与NMOS管NM14的栅极连接作为所述迟滞比较器的输出端，NMOS管NM9的源极、NMOS管NM10的源极、NMOS管NM11的源极、NMOS管NM12的源极、NMOS管NM13的源极和NMOS管NM15的源极接地；NMOS管NM9的栅极连接偏置电压Vb2。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人福建省福芯电子科技有限公司，其通讯地址为：350001 福建省福州市鼓楼区软件大道89号福州软件园F区5号楼22层C、D单元；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。