QORVO美国公司柴约蒂·高希·达斯蒂德获国家专利权
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龙图腾网获悉QORVO美国公司申请的专利具有减小的接触电阻的MEMS装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113748081B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080032167.X，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权具有减小的接触电阻的MEMS装置是由柴约蒂·高希·达斯蒂德;迈克尔·雷诺;雅克·马塞尔·穆扬戈设计研发完成，并于2020-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有减小的接触电阻的MEMS装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种制造MEMS装置的方法，其中所述MEMS装置具有空腔，横梁将在所述空腔中移动以改变所述装置的电容。在已发生大部分装置堆积之后，移除牺牲材料以在所述MEMS装置空腔内释放所述横梁。此后，用包括氯的蚀刻剂回蚀暴露的钌接触件以移除顶部接触件和底部接触件两者的顶部表面。归因于此回蚀工艺，可在较不易受粘附事件影响的情况下实现低接触电阻。可通过在氟基等离子体中调节所述钌接触件来进一步改进粘附性能。氟基等离子体工艺或氟处理可在所述钌接触件的回蚀工艺之前或之后执行。
本发明授权具有减小的接触电阻的MEMS装置在权利要求书中公布了：1.一种制造MEMS装置的方法，其包括： 形成包括钌接触表面的一个或多个电接触堆叠，所述一个或多个电接触堆叠中的至少一者形成于至少一个接触电极上方； 在所述一个或多个电接触堆叠上方安置牺牲材料； 在所述一个或多个电接触堆叠上方形成横梁结构，使得所述一个或多个电接触堆叠形成于填有所述牺牲材料的空腔内； 移除牺牲材料以释放所述横梁结构以在空腔内移动，其中所述横梁结构的至少一个接触部分能够接触所述至少一个接触电极的接触表面； 在所述空腔内使用包括氯的蚀刻剂蚀刻所述钌接触表面的部分；以及 密封所述空腔。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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