SPTS科技有限公司O·安塞尔获国家专利权
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龙图腾网获悉SPTS科技有限公司申请的专利用于对衬底进行等离子体蚀刻的设备及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112786423B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010396811.3，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权用于对衬底进行等离子体蚀刻的设备及方法是由O·安塞尔;H·戈登-莫伊斯设计研发完成，并于2020-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于对衬底进行等离子体蚀刻的设备及方法在说明书摘要公布了：本申请案涉及一种设备及一种方法。本申请案在至少一些其实施例中提供一种即使在掩模的敞开区域的分率低例如小于约1％时也适于通过提供强终点信号来确定蚀刻终点的设备。在至少一些实施例中，本申请案进一步提供跨衬底的宽区域具代表性的终点信号。在至少一些实施例中，本申请案可在高纵横比特征或沟槽的底部处显露的特征的情况下进一步提供强终点信号。
本发明授权用于对衬底进行等离子体蚀刻的设备及方法在权利要求书中公布了：1.一种用于对衬底进行等离子体蚀刻的设备，所述设备包括： 腔室； 衬底支撑件，其安置在所述腔室内，所述衬底支撑件具有支撑表面用以支撑待等离子体蚀刻的所述衬底； 白光照明源，其用于在等离子体蚀刻工艺期间照明所述衬底的区，其中所述照明源经安装以用相对于所述衬底支撑件的所述支撑表面的法线具有小于10°的入射角的入射光束照明所述衬底的所述区； 相机，其经布置以拍摄由所述照明源照明的所述区的连续图像，其中所述白光照明源及所述相机设置在与所述支撑表面相对的所述腔室中，从而面向所述支撑表面，且其中由所述相机接收到的光都以所述入射角照明在所述衬底的所述区上；及 处理器，其经配置以对所述图像执行图像处理技术，以便识别对应于所述衬底上的至少一个特征的位置的所述图像中的一或多个像素并测量来自所述一或多个像素的反射率信号； 其中所述处理器经配置以响应于所述位置处的测得反射率信号而修改所述等离子体蚀刻工艺，且其中所述一或多个像素具有小于所述衬底上的所述特征的尺寸的面积。
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