美光科技公司D·维梅尔卡蒂获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利用于存储器阵列的泄漏补偿获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113168853B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201980079522.6,技术领域涉及:G11C5/14;该发明授权用于存储器阵列的泄漏补偿是由D·维梅尔卡蒂设计研发完成,并于2019-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于存储器阵列的泄漏补偿在说明书摘要公布了:本申请案针对于用于存储器阵列的泄漏补偿。举例来说,泄漏电流可从未被选存储器单元引入到数字线上。在一些情况下,补偿组件可在读取操作的第一阶段期间在所述目标存储器单元已与所述数字线耦合之前与所述数字线耦合。所述补偿组件可对所述数字线上的电流取样并且存储所述所取样电流的表示。在所述读取操作的第二阶段期间,所述目标存储器单元可与所述数字线耦合。在所述第二阶段期间,所述补偿组件可通过在所述读取操作期间基于所述所取样电流的所述所存储表示输出所述数字线上的电流来补偿泄漏或其它寄生效应。
本发明授权用于存储器阵列的泄漏补偿在权利要求书中公布了:1.一种方法,其包括: 在目标存储器单元的读取操作的第一阶段期间,在补偿组件中存储数字线的泄漏电流的表示,其中所述补偿组件包括耦合于跨导电路的第一输入节点与所述跨导电路的第二输入节点之间的电容器,所述泄漏电流的所述表示包括所述电容器上的电压; 在所述读取操作的第二阶段期间,使所述目标存储器单元与所述数字线耦合; 在所述读取操作的所述第二阶段期间,至少部分地基于所述泄漏电流的所述表示从所述补偿组件输出所述数字线上的电流;和 在所述读取操作的所述第二阶段期间,至少部分地基于所述数字线上的信号而确定所述目标存储器单元所存储的逻辑状态。
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