聚昌科技股份有限公司林志隆获国家专利权
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龙图腾网获悉聚昌科技股份有限公司申请的专利磁力线遮蔽控制反应腔室磁场的蚀刻机结构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112768333B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201911073017.9,技术领域涉及:H01J37/32;该发明授权磁力线遮蔽控制反应腔室磁场的蚀刻机结构是由林志隆;蔡兆哲;陈俊龙设计研发完成,并于2019-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁力线遮蔽控制反应腔室磁场的蚀刻机结构在说明书摘要公布了:本发明提供一种磁力线遮蔽控制反应腔室磁场的蚀刻机结构,其包括:第一等离子体反应腔体,具有第一反应腔室;第一线圈模块,环绕设置于第一反应腔室的外围;以及第一磁力线遮蔽模块,环绕设置于第一线圈模块的外围。借由本发明的实施,可以阻挡及或反射第一线圈模块的磁力线及或电磁波向外扩散且控制磁力线的形状,以有效创造更多制造过程参数,以便更精密的生产各类产品。
本发明授权磁力线遮蔽控制反应腔室磁场的蚀刻机结构在权利要求书中公布了:1.一种磁力线遮蔽控制反应腔室磁场的蚀刻机结构,其特征在于其包括: 第一等离子体反应腔体,其具有弧形环状外表面且具有第一反应腔室; 第一线圈模块,其是环绕设置于该第一反应腔室其水平方向的外围;以及 第一磁力线遮蔽模块,其是环绕设置于该第一线圈模块其水平方向的外围,用以反射该第一线圈模块的磁力线及或电磁波向外扩散且控制该磁力线的形状: 其中该第一磁力线遮蔽模块具有多个遮蔽百叶,且每一该遮蔽百叶的长度,大于或等于该第一线圈模块的垂直高度; 其中所述遮蔽百叶的开启或关闭是借由控制单元所控制。
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