中光华研电子科技有限公司裴蕴智获国家专利权
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龙图腾网获悉中光华研电子科技有限公司申请的专利一种利用超临界二氧化碳制备室温MXene基乙醇传感器材料的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120195236B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510660024.8，技术领域涉及：G01N27/12；该发明授权一种利用超临界二氧化碳制备室温MXene基乙醇传感器材料的方法是由裴蕴智;赖明聪;俞杰;许春芳设计研发完成，并于2025-05-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种利用超临界二氧化碳制备室温MXene基乙醇传感器材料的方法在说明书摘要公布了：本发明属于气体传感器材料制备技术领域，具体涉及一种利用超临界二氧化碳制备室温MXene基乙醇传感器材料的方法。该方法首先将二氧化钛粉末经水热反应获得钛纳米管（TNTs）；然后对TNTs进行高温煅烧；接着将煅烧后的钛纳米管与MXene在超临界CO₂条件下搅拌反应，最终获得MXene复合材料粉末。该材料在室温下对乙醇气体表现出优异的响应性能，包括响应和恢复时间短（5秒）及电阻变化率高达42%。本发明充分发挥了MXene的导电性与TiO₂纳米管的气敏性，结合超临界处理手段制备工艺简便、绿色环保，具有良好的工业应用前景，特别适用于低功耗、室温运行的VOCs气体传感器领域。
本发明授权一种利用超临界二氧化碳制备室温MXene基乙醇传感器材料的方法在权利要求书中公布了：1.一种利用超临界二氧化碳制备室温MXene基乙醇传感器材料的方法，包括以下步骤： （1）将二氧化钛粉末分散在氢氧化钠水溶液中，得到分散液，将分散液进行水热反应，得到钛纳米管； （2）将钛纳米管在空气氛围下煅烧； （3）将煅烧后的钛纳米管与MXene及溶剂混合，得到分散液，将分散液转移至超临界装置中，向超临界装置中注入二氧化碳，搅拌反应，反应结束后冷却、卸压，产物干燥后即为所述的室温MXene基乙醇传感器材料； 所述钛纳米管、MXene的质量比为2：1-1：3。
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