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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种高速高线性度余量放大器及模数转换器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120200566B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510662180.8，技术领域涉及：H03F1/32；该发明授权一种高速高线性度余量放大器及模数转换器是由张守伟;李志坚设计研发完成，并于2025-05-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高速高线性度余量放大器及模数转换器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高速高线性度余量放大器及模数转换器，属于集成电路技术领域，解决现有源跟随器无法满足高速高线性度的指标的技术问题。余量放大器偏置和输出模块、反相器、基于AB类超级源跟随器结构的线性跨导单元，所述偏置和输出模块、线性跨导单元和反相器依次相连。本发明的线性跨导单元能够产生高线性度的跨导，从而提高整个余量放大器的线性度，可以保证余量放大器在高频或者大摆幅输入的情况下保证正负输出端的对称性，从而可以有效满足高速高线性度的指标。此外，本发明还引入了抗温度和工艺变化的增益校准模块，可以自动补偿后续系统环境温度变化带来的影响。

本发明授权一种高速高线性度余量放大器及模数转换器在权利要求书中公布了：1.一种高速高线性度余量放大器，其特征在于，包括：偏置和输出模块（402）、反相器（403）、基于AB类超级源跟随器结构的线性跨导单元（401），所述偏置和输出模块（402）、线性跨导单元（401）和反相器（403）依次相连； 其中：所述线性跨导单元（401）包括：输入晶体管M1、输入晶体管M2、源跟随器晶体管M3、源跟随器晶体管M4、AB类反馈电流源晶体管M5、AB类反馈电流源晶体管M6、AB类反馈电流源晶体管M7、AB类反馈电流源晶体管M8；所述输入晶体管M1的源极、源跟随器晶体管M3的源极、AB类反馈电流源晶体管M5的漏极和AB类反馈电流源晶体管M7的漏极相连，所述AB类反馈电流源晶体管M5的栅极、AB类反馈电流源晶体管M7的栅极和源跟随器晶体管M3的漏极相连；所述输入晶体管M2的源极、源跟随器晶体管M4的源极、AB类反馈电流源晶体管M6的漏极和AB类反馈电流源晶体管M8的漏极相连，所述AB类反馈电流源晶体管M6的栅极、AB类反馈电流源晶体管M8的栅极和源跟随器晶体管M4的漏极相连；所述输入晶体管M1的栅极、输入晶体管M4的栅极和正输入信号端相连，所述输入晶体管M2的栅极、源跟随器晶体管M3的栅极和负输入信号端相连；所述输入晶体管M1的漏极、输入晶体管M2的漏极、源跟随器晶体管M3的漏极、源跟随器晶体管M4的漏极和所述偏置和输出模块（402）相连，所述AB类反馈电流源晶体管M7的源极、AB类反馈电流源晶体管M8的源极和电源端相连，所述AB类反馈电流源晶体管M5的源极、AB类反馈电流源晶体管M6的源极和所述反相器（403）相连。

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