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龙图腾网获悉成都信息工程大学申请的专利一种低噪声LDO电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120161906B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510638117.0，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种低噪声LDO电路是由杨陈辰;张群;马文英;姜丹丹;陶健;李东芳;叶松设计研发完成，并于2025-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低噪声LDO电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低噪声LDO电路，包括：带隙基准电路，通过将三极管中的反偏二极管串联，提高带隙基准电路的输出参考电压，本发明采用能够输出较高电压的低噪声的带隙基准电路结构，减小参考电压噪声到输出端的放大倍数，同时在不采用滤波电容的情况下，实现全频带的低噪声输出。

本发明授权一种低噪声LDO电路在权利要求书中公布了：1.一种低噪声LDO电路，包括：带隙基准电路，误差放大器、超级源跟随器、功率器件、反馈电阻R1和反馈电阻R2，；带隙基准电路通过将三极管中的反偏二极管串联，提高带隙基准电路的输出参考电压，误差放大器用于接收低噪声LDO电路的输出电压与带隙基准电路产生的参考电压，并进行对比和放大，得到误差值；超级源跟随器用于根据误差值的变化控制功率器件的栅极电压；功率器件用于根据栅极电压对输出电流进行调节；反馈电阻R1和反馈电阻R2共同组成反馈网络，用于将低噪声LDO电路的输出电压送回误差放大器，带隙基准电路的输入端与功率器件的第一输入端连接，带隙基准电路的输入端还作为低噪声LDO电路的输入端，带隙基准电路的输出端与误差放大器的正输入端连接，误差放大器的负输入端分别与反馈电阻R1的一端和接地反馈电阻R2连接，反馈电阻R1的另一端作为低噪声LDO电路的输出端还与功率器件的输出端连接，误差放大器的输出端与超级源跟随器的输入端连接，超级源跟随器的输出端与功率器件的第二输入端连接，其特征在于，带隙基准电路包括场效应管M1，场效应管M1的栅极作为带隙基准电路的输入端，场效应管M1的漏极分别与场效应管M2的源极和场效应管M3的源极连接，场效应管M2的漏极分别与场效应管M7的源极和场效应管M9的漏极连接，场效应管M7的漏极分别与场效应管M5的漏极、场效应管M10的栅极、场效应管M11的栅极、场效应管M12的栅极和场效应管M13的栅极连接，场效应管M5的栅极分别与场效应管M4的栅极、场效应管M4的漏极和场效应管M6的漏极连接，场效应管M6的源极分别与场效应管M3的漏极和场效应管M8的漏极连接，场效应管M8的源极和场效应管M9的源极均接地，场效应管M6的栅极和场效应管M7的栅极连接，场效应管M8的栅极和场效应管M9的栅极连接；场效应管M1的源极、场效应管M4的源极和场效应管M5的源极均与同一个电源电压连接； 场效应管M10的源极、场效应管M11的源极、场效应管M12的源极和场效应管M13的源极均作为带隙基准电路的输入端与外接电源连接，场效应管M10的漏极与三极管Q3的发射极连接，三级管Q1的发射极分别与场效应管M11的漏极、场效应管M2的栅极和电阻RD的一端连接，电阻RD的另一端与电阻RE的一端连接，电阻RE的另一端与电阻RF的一端连接，电阻RF的另一端分别与三极管Q3的基极、三极管Q3的集电极、三极管Q1的集电极、三极管Q2的集电极、三极管Q4的集电极和电阻RC的一端连接，三极管Q2的发射极分别与场效应管M3的栅极、场效应管M12的漏极和电阻RA的一端连接，电阻RA的另一端与电阻RB的一端连接，电阻RB的另一端分别与电阻RC的另一端和三极管Q4的基极连接，三极管Q4的发射极分别与三极管Q2的基极和场效应管M13的漏极连接，电阻RA的另一端还作为带隙基准电路的输出端。

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