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龙图腾网获悉微玖(苏州)光电科技有限公司申请的专利一种Micro LED制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120187181B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510642683.9，技术领域涉及：H10H29/03；该发明授权一种Micro LED制备方法是由朱平;马振琦设计研发完成，并于2025-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Micro LED制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种MicroLED制备方法，包括如下步骤：S1，通过金属键合工艺，将MicroLED外延层键合至驱动基板上；S2，通过光刻工艺形成Mesa掩膜，采用刻蚀工艺在键合后的外延层上形成Mesa结构；S3，通过两次或多次涂胶工艺，在Mesa结构表面形成双层或多层光刻胶结构；使得曝光及显影后形成下层“底切”结构；S4，以所述“底切”结构掩膜为模板，对键合金属层进行刻蚀；S5，通过显影液或去胶液去除光刻胶，同时将侧壁不连续的金属层同步剥离，得到独立像素结构的MicroLED；本申请通过创新的工艺步骤，尤其是“底切”结构掩膜的设计和应用，成功解决了现有MicroLED制备技术中“金属围栏”异常这一难题，显著提高了MicroLED的良品率。

本发明授权一种Micro LED制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MicroLED制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1，通过金属键合工艺，将MicroLED外延层键合至驱动基板上，所述外延层厚度为0.5-10μm，键合金属层厚度为0.1-5μm； S2，通过光刻工艺形成Mesa掩膜，采用刻蚀工艺在键合后的外延层上形成Mesa结构； S3，通过两次或多次涂胶工艺，在Mesa结构表面形成双层或多层光刻胶结构；其中，第一光刻胶厚度为0.1-1μm，第一光刻胶与第二光刻胶在相同曝光、显影条件下的解链或交联效果不同，使得曝光及显影后形成下层“底切”结构，即光刻胶掩膜在侧壁处形成上宽下窄的阶梯状结构； S4，以所述“底切”结构掩膜为模板，对键合金属层进行刻蚀，刻蚀过程中，沉积在侧壁的金属因“底切”结构的存在而无法形成连续层，仅在掩膜顶部和底部不连续附着； S5，通过显影液或去胶液去除光刻胶，同时将侧壁不连续的金属层同步剥离，得到独立像素结构的MicroLED。

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