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龙图腾网获悉华东理工大学申请的专利一种分子层沉积制备的可擦除有机无机杂化图案化薄膜获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120122387B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510622286.5，技术领域涉及：G03F1/62；该发明授权一种分子层沉积制备的可擦除有机无机杂化图案化薄膜是由徐益升;邓东发;朱为宏;吴衍青;虞苗杰;张云帆;谭宏发设计研发完成，并于2025-05-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种分子层沉积制备的可擦除有机无机杂化图案化薄膜在说明书摘要公布了：本发明公开了一种分子层沉积制备的可擦除有机无机杂化图案化薄膜，通过交替沉积无机前驱体与有机配体，在衬底表面形成高精度、均匀的杂化光刻胶薄膜，具体步骤包括：采用MLD技术，通过真空沉积、气源切换及循环吹扫工艺，精确控制薄膜成分与厚度；利用紫外光刻或电子束对薄膜进行图案化曝光；通过加热与重新曝光可以实现图案擦写和重写；采用0.01%草酸溶液显影。所得薄膜具有超低粗糙度（RMS0.12nm）、高分辨率‑电子束曝光至少可实现50nm线宽及优异抗刻蚀性，有效解决了传统光刻胶膜厚不均、灵敏度低、试错成本高的问题；本发明简化了工艺流程，适用于深紫外及极紫外光刻工艺，在半导体器件制造中具有重要应用前景。

本发明授权一种分子层沉积制备的可擦除有机无机杂化图案化薄膜在权利要求书中公布了：1.一种分子层沉积制备的可擦除有机无机杂化图案化薄膜的制备方法，其特征在于，所述分子层沉积制备包括如下步骤： S1、在气相沉积工艺的反应腔室（105）的基座上放置衬底，将无机金属前驱体与有机配体分别装入前驱体瓶一（101）与前驱体瓶二（102）中；将氮气减压阀一（201）开至0.55MPa、氮气减压阀二（202）开至0.14MPa，用作动力气与载气；开启真空泵（302），将系统抽至真空并加热前驱体瓶一（101）与前驱体瓶二（102）、反应腔室、进气管路及出气管路；打开前驱体手动阀一（103）、前驱体手动阀二（104）后进入以下循环：打开电磁阀一（203）使无机金属前驱体进入反应腔室并沉积，关闭电磁阀一（203）并打开截止阀（301），将多余气体吹扫干净；打开电磁阀二（204）使有机配体进入反应腔室并沉积，关闭电磁阀二（204）并打开截止阀（301），将多余气体吹扫干净；循环多次后，在衬底表面沉积形成正性光刻胶薄膜； S2、将衬底表面沉积的正性光刻胶薄膜用紫外光刻机或电子束进行图案化曝光； S3、将图案化薄膜放置于加热板顶部加热1~5min以擦除图案，再重复对该薄膜进行图案化曝光； S4、将曝光后的光刻胶薄膜样品放入显影液中30秒后迅速将样品放入超纯水或异丙醇中浸润10秒，再使用高压氮气枪将样品表面吹干，形成图案； 其中，所述无机金属前驱体选自四（二甲胺基）铪、四（二甲氨基）锡中的至少一种；所述有机配体选自马来酸酐、马来酸中的至少一种。

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