力晶积成电子制造股份有限公司徐懋腾获国家专利权
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龙图腾网获悉力晶积成电子制造股份有限公司申请的专利半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114744018B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110167922.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体结构是由徐懋腾;李世平设计研发完成，并于2021-02-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体结构，包括基底、半导体层、浮体场环结构与嵌入式掺杂区。半导体层设置在基底上。半导体层具有第一导电型。浮体场环结构位于半导体层中。浮体场环结构包括至少一个浮体场环。浮体场环具有第二导电型。嵌入式掺杂区位于浮体场环结构下方的半导体层中，且连接于浮体场环结构。嵌入式掺杂区具有第二导电型。
本发明授权半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，该半导体结构包括： 基底，包括半导体元件区； 半导体层，设置在所述基底上，且具有第一导电型； 浮体场环结构，位于所述半导体层中，且包括多个浮体场环，其中所述浮体场环具有第二导电型；以及 嵌入式掺杂区，位于所述浮体场环结构下方的所述半导体层中，且连接于所述浮体场环结构，其中所述嵌入式掺杂区具有所述第二导电型，其中所述嵌入式掺杂区仅位于整个所述浮体场环结构的一侧，且远离所述半导体元件区，所述多个浮体场环中仅一个浮体场环接触所述嵌入式掺杂区。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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