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龙图腾网获悉中芯南方集成电路制造有限公司申请的专利对准偏差的补偿方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114690592B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011566641.5，技术领域涉及：G03F9/00；该发明授权对准偏差的补偿方法是由张海;杨晓松;吴怡旻;季颖娣设计研发完成，并于2020-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本对准偏差的补偿方法在说明书摘要公布了：一种对准偏差的补偿方法，包括：根据第一对准模型和第二对准模型，获取对准模型偏差信息；在对初始第二光刻层进行初始光刻对准后，根据对准模型偏差信息对初始第二光刻层进行补偿光刻对准，以图形化初始第二光刻层，形成第二光刻层。从而，在光刻工艺中，提高了光刻对准的精度和可靠性，并提高了光刻对准的稳定性。

本发明授权对准偏差的补偿方法在权利要求书中公布了：1.一种对准偏差的补偿方法，其特征在于，包括： 提供待补偿晶圆，所述待补偿晶圆包括初始第一层、以及位于所述初始第一层上的初始第一光刻层； 提供第一对准模型和第二对准模型； 根据第一对准模型对所述初始第一光刻层进行光刻对准，以图形化所述初始第一光刻层，形成第一光刻层； 根据所述第一光刻层图形化所述初始第一层，以形成第一层； 在所述第一层上形成初始第二光刻层； 根据所述第二对准模型，对所述初始第二光刻层进行初始光刻对准； 根据所述第一对准模型和第二对准模型，获取对准模型偏差信息； 在对所述初始第二光刻层进行初始光刻对准后，根据所述对准模型偏差信息对所述初始第二光刻层进行补偿光刻对准，以图形化所述初始第二光刻层，形成第二光刻层； 其中，所述待补偿晶圆还包括：第一对准层，所述初始第一层位于所述第一对准层上，并且，所述初始第一光刻层在进行光刻对准时，对准所述第一对准层； 根据所述第一对准模型和第二对准模型，获取对准模型偏差信息的方法包括：提供所述第一对准层的第一预设对准位置信息；根据所述第一预设对准位置信息和第一对准层获取第一检测对准位置信息；根据第一检测对准位置信息以及第一对准模型，获取第一对准偏移信息；根据第一检测对准位置信息以及第二对准模型，获取第二对准偏移信息；根据所述第一对准偏移信息和第二对准偏移信息，获取对准模型偏差信息。

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