长江存储科技有限责任公司陈亮获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体器件、三维存储器及半导体器件制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078863B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111271129.2，技术领域涉及：H10B41/10；该发明授权半导体器件、三维存储器及半导体器件制备方法是由陈亮设计研发完成，并于2020-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件、三维存储器及半导体器件制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件、三维存储器及半导体器件制备方法，半导体器件包括衬底，多个栅极、与多个所述栅极对应的第一触点以及数个第二触点；多个所述栅极间隔设于所述衬底的表面上，且每两个相邻的所述栅极之间有间隔区，所述衬底的表面上设有位于所述间隔区的源极，每一所述栅极包括连接面，每一所述栅极的连接面上设有一个所述第一触点，所述第一触点在所述连接面的正投影呈长条状，且所述第一触点的长度延伸方向与所述栅极长度方向相同；数个所述第二触点设于所述衬底上，且位于所述间隔区内与所述源极连接，所述第二触点与所述第一触点结构相同，且所述第二触点与第一触点并列设置。
本发明授权半导体器件、三维存储器及半导体器件制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括衬底，多个栅极、与多个所述栅极对应的第一触点以及多个第二触点； 多个所述栅极间隔设于所述衬底的表面上，且每两个相邻的所述栅极之间有间隔区，所述间隔区的衬底中设有源极； 每一所述栅极包括连接面，每一所述栅极的连接面上设有一个所述第一触点，所述第一触点在所述连接面的正投影呈长条状，且所述第一触点的长度延伸方向与所述栅极长度方向相同； 多个所述第二触点设于所述间隔区内的所述衬底上，且与所述源极连接，所述第二触点与所述第一触点结构相同，且所述第二触点与第一触点并列设置； 所述第一触点与所述第二触点远离所述衬底的一侧设有漏极。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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