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龙图腾网获悉苏州腾晖光伏技术有限公司申请的专利一种IBC太阳能电池结构及其制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111987225B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011011919.2，技术领域涉及：H10K39/15；该发明授权一种IBC太阳能电池结构及其制备工艺是由赵保星;魏青竹;倪志春;张树德;符欣;连维飞设计研发完成，并于2020-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种IBC太阳能电池结构及其制备工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种IBC太阳能电池结构，包括依次层叠设置的减反射层、正面钝化膜层、p型扩散层、n型单晶硅基底层、背面钝化膜层、有机异质结层、背面导电保护层、背面电极；所述n型单晶硅基底层的背面形成图形化的有机异质结层，所述有机异质结层包括p型有机异质结层和n型有机异质结层，所述p型有机异质结层和n型有机异质结层中间有形成空间隔离区；本发明也相应地公开上述IBC太阳能电池结构的制备工艺。本发明通过将有机物质和单晶硅接触面移至电池背面，保证形成均匀、高质量的有机杂化异质结膜层，而正表面采用了碱制绒金字塔绒面结构，可以大幅提升电池光学性能。

本发明授权一种IBC太阳能电池结构及其制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种IBC太阳能电池结构，其特征在于，包括依次层叠设置的减反射层、正面钝化膜层、p型扩散层、n型单晶硅基底层、背面钝化膜层、有机异质结层、背面导电保护层、背面电极；所述n型单晶硅基底层包括正面和背面，所述正面构造为绒面结构；所述正面包括p型扩散层且所述p型扩散层形成有正面p+型发射区；所述背面形成图形化的有机异质结层，所述有机异质结层包括p型有机异质结层和n型有机异质结层，所述p型有机异质结层和n型有机异质结层中间有形成空间隔离区；所述有机异质结层平整贴附于所述背面钝化膜层； 所述减反射层为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氟化镁中一种或多种； 所述正面钝化膜层包括层叠设置的氧化铝层和氧化硅层，所述氧化铝层贴合设置于所述减反射层，所述氧化硅层贴合设置于所述p型扩散层； 所述p型扩散层通过硼扩散或硼离子注入形成； 所述背面导电保护层构造为透明导电TCO保护层，所述TCO选自ZnO、In2O3、Ga2O3、TiO2、ZrO2中的一种或多种混合物。

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