爱思开海力士有限公司金承默获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113345835B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011000594.8，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体器件及其制造方法是由金承默设计研发完成，并于2020-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：一种用于制造半导体器件的方法包括：形成下部阵列，所述下部阵列包括：在半导体衬底之上的多个下电极、支撑所述下电极的支撑件、以及形成在所述下电极和所述支撑件之上的电介质层；形成覆盖所述下部阵列的侧部和所述下部阵列的上部的间隙填充层；在所述间隙填充层之上形成覆盖所述下部阵列的上部的覆盖部；执行所述间隙填充层的回缩工艺，以形成与所述覆盖部对齐的间隙填充电极；以及在所述间隙填充电极之上形成低电阻率电极。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制造半导体器件的方法，其包括： 形成下部阵列，所述下部阵列包括：在半导体衬底之上的多个下电极、支撑所述下电极的支撑件、以及在所述下电极和所述支撑件之上的电介质层； 形成覆盖所述下部阵列的侧部和所述下部阵列的上部的间隙填充层； 在所述间隙填充层之上形成覆盖所述下部阵列的上部的覆盖部； 对所述间隙填充层执行回缩工艺，以形成与所述覆盖部对齐的间隙填充电极；以及 在半导体衬底之上形成覆盖所述下部阵列的侧部和所述下部阵列的上部的低电阻率层；以及 刻蚀所述低电阻率层以覆盖所述下部阵列的侧部和所述下部阵列的上部，以在所述间隙填充电极之上形成低电阻率电极， 所述低电阻率电极包括金属、金属氮化物、金属硅化物或其组合。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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