半导体元件工业有限责任公司相馬充获国家专利权
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龙图腾网获悉半导体元件工业有限责任公司申请的专利自对准沟槽MOSFET接触件的系统和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112086511B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010395594.6，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权自对准沟槽MOSFET接触件的系统和方法是由相馬充;正博新保;正樹藏前;耕平内田设计研发完成，并于2020-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本自对准沟槽MOSFET接触件的系统和方法在说明书摘要公布了：本发明涉及自对准沟槽MOSFET接触件的系统和方法。实施例提供了包括半导体器件的系统和方法，该半导体器件通过在基板的表面上形成硬质掩膜柱、在每个硬质掩膜柱的第一侧面和每个硬质掩膜柱的第二侧面上形成牺牲间隔件而制成。可在相邻牺牲间隔件之间形成开口间隙。该半导体器件还可通过以下方式形成：蚀刻硬质掩膜柱以形成柱间隙，通过开口间隙和柱间隙将栅极沟槽蚀刻到基板中，在栅极沟槽内形成栅极电极，在牺牲间隔件下方的基板中植入沟道和源极，围绕牺牲间隔件形成绝缘体层，在基板内蚀刻牺牲间隔件以形成接触沟槽，以及用导电材料填充接触沟槽以形成接触件。
本发明授权自对准沟槽MOSFET接触件的系统和方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 硅基板，所述硅基板包括表面； 栅极电极，所述栅极电极形成于栅极沟槽中，所述栅极沟槽从所述表面延伸到所述基板中； 沟道区，所述沟道区与所述栅极电极相邻，所述沟道区包括非均匀沟道掺杂剂分布； 源极区，所述源极区在所述表面和所述沟道区之间与所述栅极电极相邻，所述源极区包括非均匀源极掺杂剂分布； 绝缘体层，所述绝缘体层形成于所述基板上方；和 源极接触件，所述源极接触件延伸穿过所述绝缘体层，其中所述源极接触件包括小于针对处理能力的最小光刻极限的宽度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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