三星电子株式会社金完东获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利非易失性存储器设备及其编程方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112242166B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010370136.7,技术领域涉及:G11C16/04;该发明授权非易失性存储器设备及其编程方法是由金完东;朴镇宇;金成镇;南尚完设计研发完成,并于2020-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本非易失性存储器设备及其编程方法在说明书摘要公布了:公开了一种非易失性存储器设备的编程方法,所述非易失性存储器设备包括单元串,所述单元串具有垂直于衬底的表面堆叠的存储器单元,所述方法包括:执行第一编程阶段,包括对连接到第一字线的第一存储器单元进行编程并且将第一通过电压施加到所述第一字线上方或下方的其他字线;以及执行第二编程阶段,包括在完全对所述第一存储器单元进行编程之后对第二存储器单元进行编程,所述第二存储器单元连接到比所述第一字线更靠近所述衬底的第二字线,将第二通过电压施加到所述第二字线下方的第一字线组并将第三通过电压施加到所述第二字线上方的第二字线组,所述第二通过电压低于所述第三通过电压。
本发明授权非易失性存储器设备及其编程方法在权利要求书中公布了:1.一种非易失性存储器设备的编程方法,所述非易失性存储器设备包括单元串,在所述单元串中,多个存储器单元在垂直于衬底的表面的方向上堆叠,所述编程方法包括: 执行第一编程阶段,包括对所述多个存储器单元中的第一存储器单元进行编程,所述第一存储器单元连接到所述单元串的多个字线中的第一字线,所述第一编程阶段包括将第一通过电压施加到所述多个字线中相对于所述衬底在所述第一字线上方或下方的其他字线;以及 执行第二编程阶段,包括在完全对所述第一存储器单元进行编程之后对所述多个存储器单元中的第二存储器单元进行编程,所述第二存储器单元连接到所述多个字线中比所述第一字线更靠近所述衬底的第二字线,所述第二编程阶段包括将第二通过电压施加到所述多个字线中相对于所述衬底在所述第二字线下方的第一字线组并将第三通过电压施加到所述多个字线中相对于所述衬底在所述第二字线上方的第二字线组,所述第二通过电压低于所述第三通过电压, 其中包括在所述第二字线组中的字线的数量根据驱动温度而变化。
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