三星电子株式会社崔慜贞获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112349658B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010315686.9，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权半导体器件是由崔慜贞;申树浩;李瑌真;韩正勋设计研发完成，并于2020-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：公开了一种半导体器件。所述半导体器件包括：层间绝缘层，设置在基底上；多个中部互连件，设置在层间绝缘层中；垫，设置在层间绝缘层上；上部互连件，设置在层间绝缘层上；保护绝缘层，覆盖垫的边缘、上部互连件以及垫与上部互连件之间的水平的间隙，保护绝缘层在垫上具有开口；以及凸块，设置在垫上，凸块在保护绝缘层上延伸并且从自顶向下的视图来看与上部互连件叠置。所述多个中部互连件中的在竖直方向上最靠近垫的中部互连件之中的至少一个中部互连件具有第一竖直厚度，垫具有为第一竖直厚度的两倍至100倍的第二竖直厚度，垫与上部互连件之间的所述间隙的长度为1μm或更大，并且保护绝缘层的上表面是平坦的。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，所述半导体器件包括： 层间绝缘层，设置在基底上； 多个中部互连件，设置在层间绝缘层中； 垫，设置在层间绝缘层上； 上部互连件，设置在层间绝缘层上； 保护绝缘层，覆盖垫的边缘、上部互连件以及垫与上部互连件之间的间隙，保护绝缘层在垫上具有开口；以及 凸块，设置在垫上，凸块在保护绝缘层上延伸并且从自顶向下的视图来看与上部互连件叠置， 其中，所述多个中部互连件中的在竖直方向上最靠近垫的中部互连件之中的至少一个中部互连件具有第一竖直厚度， 垫具有为第一竖直厚度的两倍至100倍的第二竖直厚度， 垫与上部互连件之间的所述间隙的长度为1μm或更大，并且 保护绝缘层的上表面是平坦的。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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