重庆康佳光电技术研究院有限公司黄文洋获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆康佳光电技术研究院有限公司申请的专利LED外延结构、LED芯片及外延结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111540816B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010190471.9，技术领域涉及：H10H20/82；该发明授权LED外延结构、LED芯片及外延结构的制备方法是由黄文洋;林雅雯;黄国栋;黄嘉宏;杨顺贵设计研发完成，并于2020-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本LED外延结构、LED芯片及外延结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种衬底可剥离式LED外延结构、LED芯片及衬底可剥离式LED外延结构的制备方法，衬底可剥离式LED外延结构包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、AlAs牺牲层和半导体层，GaAs缓冲层设置于GaAs衬底上，AlAs牺牲层设置于GaAs缓冲层上；AlAs牺牲层上设置有多个凹陷部，半导体层设置于AlAs牺牲层上。与现有技术相比，本技术方案的有益效果是：本发明通过在AlAs牺牲层上设置有凹陷部，多个凹陷部在外延结构的横截面上形成波浪线状的切面边缘，使得半导体层的下表面之间通过凹凸不平的接触面贴合在一起，借助凹凸不平的接触面来提高腐蚀效果和降低AlAs牺牲层和半导体层之间的应力，进而实现GaAs衬底的轻松剥离，从而降低生产成本。
本发明授权LED外延结构、LED芯片及外延结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种衬底可剥离式LED外延结构，其特征在于，包括： GaAs衬底； GaAs缓冲层，所述GaAs缓冲层设置于所述GaAs衬底上； AlAs牺牲层，所述AlAs牺牲层设置于所述GaAs缓冲层上，所述AlAs牺牲层上设置有多个周期性排列的锥形凹陷部，相邻两个所述锥形凹陷部的底面相切，所述锥形凹陷部的锥形底面直径为5-40nm，所述锥形凹陷部的高为5-40nm； 半导体层，所述半导体层设置于所述AlAs牺牲层上。
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