三星电子株式会社李海旻获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111668230B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911155026.2，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权半导体存储器装置是由李海旻;金光洙;沈善一设计研发完成，并于2019-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器装置在说明书摘要公布了：公开一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：栅电极，在基底上布置得沿垂直于基底的上表面的第一方向彼此分隔开；上绝缘层，布置在最上面的栅电极上；沟道结构，沿第一方向穿透上绝缘层和栅电极；以及串选择线切割绝缘层，使上绝缘层和最上面的栅电极水平地分离。串选择线切割绝缘层中的每个包括突起，该突起朝向最上面的栅电极突出，并且与第一栅电极位于相同水平上。
本发明授权半导体存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括： 多个栅电极，在基底上布置得沿垂直于基底的上表面的第一方向彼此分隔开； 多个绝缘层，布置在所述多个栅电极之间； 上绝缘层，布置在所述多个栅电极中的最上面的栅电极上； 多个沟道结构，沿第一方向穿透上绝缘层、所述多个栅电极以及所述多个绝缘层，所述多个沟道结构中的每个包括多个层； 一对字线切割部，沿平行于基底的上表面的第二方向使所述多个栅电极中的每个栅电极分离，并使所述多个绝缘层中的每个绝缘层分离； 多个串选择线切割绝缘层，布置在所述一对字线切割部之间，并沿第二方向使上绝缘层和最上面的栅电极均分离，使得最上面的栅电极是分离的最上面的栅电极，并且上绝缘层是分离的上绝缘层；以及 第一阻挡层，位于上绝缘层与所述多个串选择线切割绝缘层中的每个之间， 其中，所述多个串选择线切割绝缘层中的每个包括第一突起，第一突起朝向分离的最上面的栅电极突出，并且与分离的最上面的栅电极位于相同水平处，并且 其中，第一突起的上表面和下表面与第一阻挡层接触。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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