哈曼国际工业有限公司R.H.兰伯特获国家专利权
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龙图腾网获悉哈曼国际工业有限公司申请的专利用于扬声器的倒相箱建模的非线性端口参数获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111050251B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910977532.3，技术领域涉及：H04R1/22；该发明授权用于扬声器的倒相箱建模的非线性端口参数是由R.H.兰伯特;D.J.巴顿设计研发完成，并于2019-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于扬声器的倒相箱建模的非线性端口参数在说明书摘要公布了：一种用于倒相箱驱动器漂移建模的扬声器参数系统，可以包括扬声器驱动器，所述扬声器驱动器具有导体、磁体和振膜。所述系统还可以包括处理器，所述处理器用于漂移建模，所述处理器被配置为接收输入信号，确定所述输入信号的电压电平，壳体，所述壳体具有谐振端口，估计端口参数，所述端口参数包括声阻或声质量中的至少一个，以及基于利用所述端口参数的倒相箱漂移模型而施加电压限制。
本发明授权用于扬声器的倒相箱建模的非线性端口参数在权利要求书中公布了：1.一种用于倒相箱漂移建模的扬声器参数系统，所述扬声器参数系统包括： 扬声器，所述扬声器具有壳体，所述壳体具有谐振端口，所述扬声器包括驱动器并且具有导体、磁体和振膜，其中所述导体是具有音圈漂移的音圈； 处理器，所述处理器用于漂移建模，所述处理器被配置为： 接收输入信号， 确定所述输入信号的电压电平， 估计所述谐振端口的端口参数，所述端口参数包括声阻和声质量中的至少一个， 将集总元素模型应用于所述输入信号以至少基于所述端口参数确定音圈漂移包络，以及 基于音圈漂移包络而向驱动器施加电压限制以保护所述扬声器免于大位移。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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