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龙图腾网获悉务实印刷有限公司申请的专利肖特基二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111699561B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201880089100.2，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权肖特基二极管是由费拉·阿珂哈利尔;理查德·普赖斯;布莱恩·科布设计研发完成，并于2018-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本肖特基二极管在说明书摘要公布了：一种肖特基二极管包括：第一电极；第二电极；以及半导体材料主体，其在第一界面处连接到第一电极，在第二界面处连接到第二电极，其中第一界面包括位于第一平面中的第一平面区域，并且第一电极具有沿垂直于第一平面的第一方向在第一平面上的第一投影，第二界面包括位于第二平面中的第二平面区域，并且第二电极具有沿所述第一方向在第一平面上的第二投影，第二投影的至少一部分位于第一投影的外部，所述第二平面区域沿所述第一方向偏离第一平面区域，并且第一界面和第二界面中的一个提供肖特基接触。

本发明授权肖特基二极管在权利要求书中公布了：1.一种肖特基二极管，包括： 衬底或其他支撑体或结构； 第一电极，直接或间接形成在所述衬底或其他支撑体或结构的表面的第一区域上； 第二电极；以及 半导体材料主体，其在第一界面处连接到所述第一电极，在第二界面处连接到所述第二电极， 其中 所述第一界面包括位于第一平面中的第一平面区域，并且所述第一电极具有沿垂直于所述第一平面的第一方向在所述第一平面上的第一投影， 所述第二界面包括位于第二平面中的第二平面区域，并且所述第二电极具有沿所述第一方向在所述第一平面上的第二投影， 所述第二投影的至少一部分位于所述第一投影的外部， 所述第一界面和所述第二界面中的一个提供肖特基接触； 所述半导体材料主体包括第一侧面和第二侧面，所述第二侧面沿所述第一方向与所述第一侧面间隔开所述半导体材料主体的厚度，并且 所述第一平面区域在所述半导体材料主体的所述第一侧面上，所述第二平面区域在所述半导体材料主体的所述第二侧面上； 所述肖特基二极管还包括介电主体，其至少覆盖所述衬底或其他支撑体或结构的所述表面的与所述第一区域相邻的第二区域； 其中所述半导体材料主体包括布置在所述第一电极上方并在所述第一界面处连接到所述第一电极的第一部分，以及布置在覆盖所述第二区域的所述介电主体的一部分上方的第二部分； 其中在所述半导体材料主体的所述第二部分上至少部分地形成第二电极； 其中所述第一投影的一部分但并非全部位于所述第二投影的内部； 其中所述第二平面区域沿所述第一方向在所述第一平面上的投影完全位于所述第一平面区域沿所述第一方向在所述第一平面上的投影的外部。

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